本文利用μ-PCD载流子寿命测量系统,对采用MBE方法生长的Hg空位型中波HgCdTe P型材料和原位As掺杂激活中波P型材料的少子寿命进行......

外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列（FPA）探测器非常重要。用微波反射光电导衰减法（μ-PCD）分别在300K和85K温度下测......

通过真空热退火、有效少子寿命(πeff)的测量(利用微波光电导衰减μ-PCD法)和表面-界面光电子能谱分析(X-ray Photoemission Spect......

在过去的数十年中,由于碳化硅（SiC）材料具有热稳定性、高击穿电压、高热导率等性能优势,SiC双极型器件在高压、高频和大功率等领域得......