p-MOSFET相关论文
提出了一种含介质深槽的横向p沟道功率MOSFET (p-MOSFET).深槽内填充了线性组合的高介电常数(high-k)介质和二氧化硅,以调变寄生的......
双轴应变技术被证实是一种能同时提高电子和空穴迁移率的颇有前景的方法;〈100〉沟道方向能有效地提升空穴迁移率.研究了在双轴应......
利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变......
目前，MOSFET的特征尺寸已经进入超深亚微米技术领域，传统的平面MOSFET结构将面临很多困难。如短沟道效应将变得非常严重，另外在较低的......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
针对SI／SiGe p-MOSFET的虚拟SiGe衬底厚度较大（大于1μm）的问题，采用低温Si技术在Si缓冲层和虚拟SiGe衬底之间MBE生长低温-Si层。SiGe......
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上，提出了一个半经验的应变Si1-xGex／Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型．在该模型中，给出......
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上，提出了一个半经验的应变Si1-xGex／Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型．在该模型中，给出......
利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe (SGOI)和Si (SOI) p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明,与传统的SO......
电力场效应管（Power Metal Oxide Semiconductor FET,P-MOSFET）是构成电力通信电源的核心器件,其可靠性直接影响到电力通信的安全稳......
可靠性设计是现代集成电路设计需要考虑的一个重要问题.对影响电路可靠性的一个最主要效应——P-MOSFET的NBTI效应进行了系统的介......
对绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性进行二维数值分析,研究了该器件的阈值电压特性、转移特性、输出特性.模拟结......
对绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性进行二维数值分析,研究了该器件的阈值电压特性、转移特性、输出特性.模拟结......
研究了低栅电压范围的热载流子统一退化模型。发现对于厚氧化层的p-MOSFETs主要退化机制随应力电压变化而变化，随着栅电压降低，退化......
在该研究工作中，利用该所生产的ＳｉＧｅ材料，研制ＳｉＧｅ沟道Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ器件。初步的研究结果表明，ＳｉＧｅ沟道ＰＭＯＳＦＥＴ器件的跨导比硅沟道ＰＭＯＳＦＥＴ器件的跨导高。如果在器件工艺采取进......
Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的ＴＥＭ研究＊刘安生安生邵贝羚王敬付军钱佩信（北京有色金属研究总院，１０００８８北京）（清华大学微电子研究所，１０００８４北京）空穴的迁移率远低于电子迁移率，与Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ相比Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的......
本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性。结果表明：随着器件工......
低压差稳压电源以低功耗、高效率、低噪声、低干扰、体积小、重量轻等显著特点,深受人们的青睐,本文首先介绍了基于P-MOSFET的低压......
针对电源设备或化学电池的测试需要,以STM32F103单片机为控制核心,外围采用16位A/D、12位D/A以及功率MOSFT设计了一种简易的高精度......
