Large-scale GaN nanowires are successfully synthesized by ammoniating Ga2O3 films on Nb layer deposited on Si(111) subst......

用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法,成功地合成了一维GaN纳米线.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)......

采用NH3为N源,以Ga2O3粉末为Ga源高温氨化形成GaN粉末.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对粉末进行......

采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备Ga2O3／Nb薄膜，然后在900℃下于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射（XRD）、透射电子......

简要介绍了溅射后氨化法制备氮化镓薄膜（纳米结构）的技术，总结了近年来用此方法所取得的科研成果，并着重介绍了衬底结构对氮化镓薄膜形......