【摘 要】
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Large-scale GaN nanowires are successfully synthesized by ammoniating Ga2O3 films on Nb layer deposited on Si(111) substrates at 850 ℃. X-ray diffraction(XRD),
【机 构】
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Institute of Semiconductors, Shandong Normal University, Jinan 250014, CHN
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Large-scale GaN nanowires are successfully synthesized by ammoniating Ga2O3 films on Nb layer deposited on Si(111) substrates at 850 ℃. X-ray diffraction(XRD), scanning electron microscopy(SEM), field-emssion transmission electron microscope(FETEM), Fourier transformed infrared spectrum(FTIR) are used to characterize the structural and morphological properties of the as-synthesized GaN nanowires. The results reveal that the nanowires are pure hexagonal GaN wurtzite structure with a length of about several microns and a diameter between 50 nm and 100 nm. Finally, discussed briefly is the formation mechanism of gallium nitride nanowires.
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