ZAO薄膜相关论文
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙氧化物半导体材料，具有大的载流子浓度和光学禁带宽度，在太阳能电池、平板显示器的透明电极等领域......
近年来，Al掺杂的ZnO（ZAO）透明导电氧化物薄膜，以其价格低廉、无毒性、在氢等离子气氛中性质稳定等优势，而受到研究者的广泛关注，已经成为......
ZAO薄膜具有较高的可见光区透射率(T≥85％)、优良的导电性、微波强衰减性(衰减率≥80％),应用于伪装隐身技术、平板显示、太阳能电池......
采用直流反应磁控溅射技术，制备获得ZAO薄膜，研究氧分压、氩分压关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响，并获得了最......
采用直流磁控溅射法在柔性衬底上镀制ZAO透明导电薄膜，全面研究了氧气流量、薄膜厚度、镀膜温度、溅射气压、溅射速率等工艺条件对Z......
采用孪生对靶直流磁控溅射的方法,在室温下制备了ZnO：Al（ZAO）薄膜材料,将其应用于柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的窗口电极。通过调整Ar......
透明导电薄膜作为一种特殊的物质形态，目前已经成为微电子学、光电子学、磁电子学、材料表面改性、传感器装置、太阳能电池、液晶显......
采用溶胶-凝胶法合成Al掺杂ZnO胶体，通过浸涂法在石英衬底上制备不同退火温度的ZAO薄膜。通过XRD、FT-IR、IR-2型红外辐射仪等......
氧化锌(ZnO)作为一种多功能的宽禁带直接带隙半导体材料，具有六角纤锌矿型的晶格结构，室温下禁带宽度约为3.37eV。ZnO薄膜材料具有禁......
该研究课题以氧化烟锡靶和氧化锌铝靶为靶材,采用射频磁控溅射工艺在纯氩气氛中沉积ITO和ZAO薄膜,靶材中SnO和AlO的掺杂比例分别为......
宽禁带ZnO是一种新型的化合物半导体材料，具有六方纤锌矿结构，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV。ZnO薄膜以其优良的压电性......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族的宽带隙直接带结构的多功能材料,为六角纤锌矿结构。ZnO薄膜由于具有优异的压电、光电、气敏、压敏等特性,近年......
当今时代,能源消耗与日俱增,对环境的污染也日益加重,人们迫切地需要开发新的能源。作为新能源,与传统的硅太阳能电池相比,钙钛矿......
利用溶胶凝胶法,在石英玻璃的基底上沉积了镧系稀土元素和Al共掺的ZnO薄膜,利用了XRD衍射和SEM分别研究了薄膜的结构和表面形貌。......
该文在综述国内外ZAO薄膜的研究发展概况基础上,采用制备实验研究与理论分析相结合的方法,从生产应用的角度出发,对ZAO薄膜的宏观......
本论文对几种新型有机发光器件进行了研究,主要涉及以下几个方面的内容:1.采用电化学方法测定了J03、FNPD、CBP的HOMO能级,并结合......
本征ZnO是一种高阻半导体，掺杂Al后的ZAO(ZnO：Al)电阻率大大降低。ZnO及其ZAO薄膜是光学透明薄膜，具有优异的光电特性，在太阳能电池、......
ZnO是一种直接带隙半导体材料，属于六方纤锌矿结构。由于(002)晶面的表面自由能最低，晶体有C轴择优取向的特性。作为一种直接带隙宽......
原子力显微镜自1986年问世以来,经过二十多年的技术改进和应用研究,凭借纳米量级的超高精度和不受样品表面导电性限制等优势奠定了......
采用溶胶凝胶法和脉冲激光沉积法,在晶向为(100)的P型半导体硅片上分别制备了ZnO薄膜和ZAO薄膜,测试了ZnO和ZAO薄膜的光电特性,并......
采用直流反应磁控溅射技术,制备获得ZnO:Al(ZAO)薄膜,研究溅射功率、靶基距关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影......
综述了ZAO透明导电薄膜的光电特性及其导电机理、制备技术与研究现状,认为ZAO薄膜在平板显示、太阳能电池和低辐射器件领域具有广......
采用射频磁控溅射工艺,以Al掺杂ZnO(ZAO)陶瓷靶为靶材在石英玻璃基片上制备出具有优良光电性能的ZAO透明导电薄膜,研究了溅射功率......
通过磁控溅射氧化铝锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备 ZAO薄膜，研究了不同氧掺杂量对于ZAO膜电学及光学性能的影响，使用 X射线衍射......
综述了掺铝氧化锌(ZAO)透明导薄膜的化学法制备技术、及应用前景,重点介绍了溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜的热处理条件、溶胶浓度、陈化......
采用常压固相烧结法,通过优化烧结工艺,制备出平整、组织均匀、致密的ZAO靶材.研究了掺杂含量、烧结温度对陶瓷靶材微观结构和性能......
用直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜 ,对这种薄膜进行了XRD分析 ,并对其光、电性能作了详细的研究。结果表明 :ZAO薄膜的结构为......
采用中频交流磁控溅射氧化锌铝(ZnO+2%Al2O3)陶瓷靶材的方法制备了掺铝氧化锌ZAO(ZnO:Al)薄膜.利用红外光谱仪测试了薄膜的红外反......
采用溶胶-凝胶旋转涂敷方法在普通玻璃衬底上生长ZAO薄膜．每涂敷1层薄膜，都要在一定的温度下对薄膜进行1次热处理，连续涂敷7层。最后......
以氧化铝（Al2O3）掺杂的ZnO陶瓷靶材为基础，室温下采用无氧直流磁控溅射法在载玻片衬底上制备了ZnO：Al（ZAO）透明导电薄膜，研究了不同的Al2O......
Zno∶Al(ZAO)透明导电薄膜具有高的载离子浓度和大的光学禁带宽度,因而具有优异的电学和光学性能,极具应用价值.本文研究了ZAO薄膜......
利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝（98%ZnO＋2%Al2O3）为靶材在普通载玻片上制备了ZAO（ZnO：Al）薄膜,研究了衬底温度对薄膜晶体结构,电学和光......
研究了薄膜的结构性质、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Al薄膜具有(002)面的单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,......
随着电子器件向小型化和轻便化方向发展，柔性衬底的透明导电薄膜有望成为硬质衬底透明导电薄膜的更新换代产品，因此其研究备受关注。......
采用磁控溅射方法,探索ZnO薄膜制备的最佳工艺。研究了氧氩比、基片温度,对晶粒质量的影响,以及表面电阻与溅射时间之间的关系,使......
采用传统陶瓷烧结工艺,制得性能良好的Al掺杂ZnO陶瓷靶。以此靶为溅射源,利用射频磁控溅射法制备ZAO薄膜,着重研究了400℃保温2 h......
研究了用溶胶．凝胶法制备ZAO薄膜的工艺、掺杂及其显微结构。用六水合氯化铝在溶胶中引入Al2O3。掺杂Al的含量为1％，3％，6％和9％。用浸涂法在......
主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光......
采用直流磁控溅射技术，以氧化锌铝陶瓷靶为靶材，在玻璃衬底上制备了ZnO：Al（ZAO）薄膜，研究了不同工艺参数对薄膜晶体结构及光学性质的影响......
采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了ZnO：Al（ZAO）薄膜样品。其他参数不变,在不同的温度下对样品进行了退火处理,研究了薄膜的结......
通过磁控溅射氧化铝锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备ZAO薄膜,研究了溅射电流、溅射气压、基片温度对ZAO膜电学及光学性能的影响,......
用射频磁控溅射法制备Al掺杂ZnO（ZAO）薄膜，研究溅射与真空退火工艺对ZAO薄膜的显微结构及光电性能的影响。采用X射线衍射（XRD）对ZAO薄膜......
利用磁控溅射法在溅射功率分别为30，50，80，100W条件下制备ZAO薄膜，并通过原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）谱对制得的薄膜样品进行表面形......
Owing to both of its high carrier concentration and large band gap,ZnO:Al(ZAO)films which is an n-type degenerate semico......
采用直流磁控溅射的方法制备ZnO：Al（ZAO）透明导电薄膜,研究了氧气浓度对ZAO薄膜的结构、光电性质的影响。实验表明适当的氧气浓度是制......
采用电子束真空蒸发沉积薄膜的方法(EBED)制备了ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜.用正交试验法设计试验,并分析了制备ZAO薄膜的主要影响因......
