VCSELS相关论文
研究制作了大面积底发射氧化限制面发射激光器, 并分析了器件特性.通过增加有源区面积, 改进制作工艺,采用Al2O3作钝化膜和多层复......
研究了大功率短脉冲垂直腔表面发射激光器（VCSELs）出光孔径分别为400μm,600μm的980nm倒封装底发射VCSELs的脉冲特性,通过测试脉冲......
基于激光速率方程并加入了热补偿电流，建立了一种用于分析大功率垂直腔面发射激光器（VCSELs）输出特性（P-I）的模型。先测得已知温度下的P......
由于新型的聚合物塑料光纤（Plastic Optic Fiber,简称POF）的出现,以及其在通信网络领域的应用前景,使得与该种光纤相对应的光源成为......
基于自发辐射在微腔激光器中的独特性,利用参数开关调制控制混沌的理论和技术,对VCSELs实施高频大信号深度调制和混沌控制的数值模......
基于非对称互注入垂直腔面发射激光器（V C S E L s） 中两对应的线偏振模式间的混沌同步,提出了一种可实现双向双信道混沌保密通信的......
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半导体激光器是电器设备和电气测试系统中的重要组成元件,在半导体激光器及其它光电器件中,利用突变材料可以实现电流、热场和光波......
垂直腔面发射激光器(Vertical-cavity surface-emitting lasers, VCSELs)以其低成本，低功耗，易于封装，光束发散角小，低电流状态下优异......
针对量子阱有源层的结构特点,考虑增益和载流子浓度呈对数关系,建立量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程,导出了阈值......
通过构建垂直腔表面发射半导体激光器(VCSELs)的动态仿真模型,研究了有源层孔径和厚度对VCSELs大信号深度调制特性的影响.仿真结果......
1978年第一台VCSELs诞生,而后VCSELs实现了飞速的发展。虽然其问世晚于边发射半导体激光器,但VCSELs凭借其低阈值电流、易于实现单......
通过对一种微分量子效率可以大于1的新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,以及由此设计出的阈值......
