Sn掺杂相关论文
全固态锂离子电池具有安全性能好、电池封装简便、电化学稳定性好和工作温度范围宽等优势而被广泛应用。固体电解质作为全固态锂离......
机动车污染已成为大气污染的最主要的贡献者之一,其污染物主要来自于尾气中CO、NO、HC的排放。而治理汽车尾气最有效的方法是催化......
Half-Heusler合金因其优异的热电性能、较高的机械强度和良好的热稳定性而在温差发电领域具有广泛的应用前景。研究发现ZrCoBi基Ha......
相变存储器是通过物质相变来实现信息存储的一种存储器,利用电能(热量)使相变材料在晶态(低阻)与非晶态(高阻)之间相互转换,实现信......
橄榄石结构的LiFePO4已被广泛研究应用于锂离子电池正极材料,然而纯相结构的LiFePO4电导率和离子扩散迁移率都很低,限制了其应用.......
以钛酸四正丁酯和SnCl4为前驱体，采用水热合成法在FTO导电玻璃表面制备不同Sn掺杂量的TiO2纳米棒(Sn-TiO2NRS)阵列，并用电化学沉......
TiO_2光催化剂具有无二次污染、氧化能力强和化学性质稳定等优点,在多相催化技术中得到了广泛应用。然而,TiO_2在实际的应用中仍面......
学位
核能作为一种清洁、高效的原子能,被认为是解决当今世界能源危机和环境污染问题最具潜力的能源之一。然而随着核工业的飞速发展,大......
新世纪的到来,化石燃料消耗导致了能源危机与环境污染,这便使得新能源如水能、风能、太阳能、潮汐能等受到专家学者的广泛关注与研......
超导材料作为解决人类能源危机的终极方案的核心,一直受到世界各研究组的关注。Nb3Al超导材料拥有优越的容许应力特性、较高的临界......
Bi2Te3基材料是较为成熟的室温商业应用热电材料,但因其热电器件相对较低的热电转换效率限制了这类材料的应用领域。因此,进一步提......
GaN是宽禁带直接带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,禁带宽度3.4eV,物理和化学性质稳定,热导率高、饱和电子飘移速率大、临界击穿电场高,电......
十九世纪以来,有关拓展新能源的探索从未停止,社会有一种具有较高价值的功能性材料称为透明导电薄膜（Transparent Conductive Film）,......
太阳能技术是解决能源危机和环境污染的有效手段之一,而高效率、低成本的太阳能电池是实现太阳能转换与应用的关键。量子点敏化太......
熵体现了体系的混乱度,熵值越大,混乱度越大。降低热电材料的热导率是提升材料热电性能的有效手段,体系的混乱度越大,声子的散射将......
二氧化钛因为其优异的灵敏度和物化稳定性,被认为是挥发性有机气体(volatile organic chemicals,VOCs)传感应用的潜在候选者之一.......
期刊
碲化铋（Bi2Te3）是目前室温区制冷和发电最重要的热电材料，其属于菱形晶系，原子结构为六面体层状结构。由于Bi2Te3结构类似于石墨，具有各......
以ZnCl2和NaOH为原料,用SnCl4·4H2O作掺杂剂,通过水热法合成了Sn掺杂ZnO纳米颗粒.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用真空熔炼法合成(Bi1-xSnx)2Te2.7Se0.3合金,再通过热蒸发技术在473K玻璃基体上沉积了厚800 nm的Sn掺杂Bi2Te2.7Se0.3热电薄膜......
提高存储密度和存取速率一直是光存储发展的方向 ,这对目前用于可擦重写存储的相变材料提出了越来越多的要求 :它们既要对短波长有......
研究了Nd-Dy-Fe-B和Nd-Dy-Fe-B-Sn合金在423 K的磁后效,发现两者的磁化强度都按时间对数衰减,Nd-Dy-Fe-B-Sn合金的磁后效起伏场Hf......
利用包括磁控溅射和热氧化的两步法在Si(111)衬底上制备了Sn掺杂ZnO纳米针.首先用磁控溅射法在Si(111)衬底上制备Sn:Zn薄膜,然后在......
以ZnCl2和NaOH为原料,用SnCl4·4H2O作掺杂剂,通过水热法合成了Sn掺杂ZnO纳米颗粒.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、......
采用高能球磨制粉、直流热压成型的方法制备Sn掺杂Bi0.5Sb1.5Te3合金的块材试样 （Bi0.5Sb1.5）1-xSnxTe3（x=0.25%,0.5%,1%）, 对试样的物......
通过粉末烧结、高能球磨和直流快速热压相结合的工艺制备高熔点half-Heusler合金TaCoSb,热电性能测试结果表明TaCoSb是一种n型热电......
以ZnCl2和NaOH为原料，用SnCl4·4H2O作掺杂剂，通过水热法合成了Sn掺杂ZnO纳米颗粒。利用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电镜（FE-SEM）、......
用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge2Sb2Te5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响.薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了......
以铟、锡氯化物为前驱物，采用溶胶-凝胶法在玻璃基体上制备不同锡掺杂的ITO膜，在热处理温度为450℃条件下制备不同锡掺杂（质量分数11％～3......
采用sol—gel法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了sn掺杂Ba（Zr0.2Ti0.8）O3（BZT）薄膜。结果表明，掺锡的BZT薄膜为钙钛矿结构，当Sn掺量超过4％时，出现......
中国科学院上海硅酸盐研究所与北京大学的研究人员合作，通过对黄铜矿结构电池材料CuInS2和CuGaS2合理地进行Sn在In／Ga位的掺杂，成功在......
采用电弧熔炼铜模吸铸工艺制备了(Zr52.5Ti5Al10Ni14.6Cu17.9)(100-x)/100Snx系大块非晶合金,对掺杂元素Sn对大块非晶合金玻璃形成......
采用化学气相沉积法获得了Sn掺杂含量约为2．4％（原子分数）的Sn掺杂ZnO半导体纳米线。X射线衍射结果表明，Sn的掺杂并没有改变ZnO的纤锌矿......
在无催化剂的条件下,利用碳热还原反应气相沉积法制备出了高产率单晶Sn掺杂ZnO纳米带.XRD和TEM研究表明纳米带为结晶完好的纤锌矿......
利用包括磁控溅射和热氧化的两步法在Si（111）衬底上制备了Sn掺杂ZnO纳米针.首先用磁控溅射法在Si（111）衬底上制备Sn：Zn薄膜,然后在650℃......
采用水热法合成了具有不同形貌的Sn掺杂ZnO微晶。采用XRD、SEM、UV等分析手段对试样进行了表征。实验结果表明，随着Sn掺杂比例的增......
采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能......
以苯甲醇为反应介质，Zn（OAC）2·2H2O和SnCl4·5H2O为原料，利用溶剂热的方法，在温和条件下制备了一系列不同Sn掺杂含量的纳米ZnO......
透明导电氧化物薄膜具有高的可见光透明度和较低的电阻系数，已成为当前的研究热点．早期关于氧化铟材料的理论研究没有考虑In原子4d电......
宽禁带半导体材料氧化镓(β-Ga_2O_3)具有禁带宽度较大(4.9 eV)、理化性质稳定等优势。近年来,氧化镓因其独特的性质引起了研究者......
自旋电子学是一门利用电子自旋影响输运性能的新兴学科。巨磁电阻效应(GMR)和隧穿磁电阻效应(TMR)是自旋电子学中的最有应用价值的......
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二氧化钛因为其优异的灵敏度和物化稳定性,被认为是挥发性有机气体(volatile organic chemicals,VOCs)传感应用的潜在候选者之一。......
为了提高Ga2O3基日盲紫外探测器的性能,本文使用分子束外延方法对β-Ga2O3薄膜进行Sn掺杂,并制备成MSM型日盲紫外探测器。结果表明......
以四氯化锡和氯化锌为前驱体,通过一步沉淀法制备Sn掺杂ZnO纳米复合光催化剂。利用扫描电子显微镜、傅里叶红外光谱、X射线粉末衍......
