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A novel shorted anode lateral-insulated gate bipolar transistor(SA LIGBT)with snapback-free characteristic is pro-posed ......
本文对NMOS ESD保护器件建模中的骤回现象和寄生效应进行了研究．并据此提出了一个NMOS ESD保护器件的DC模型。该模型包括基于BSIM3......
目的 综述基于高分辨熔解分析（HRM）的基因分型新技术.方法 介绍无标记探针、弹回引物、隐蔽探针、温度开关PCR、等位基因特异延伸PCR......
本文对半超结逆导IGBT这一新型结构的导通机理进行分析。通过SilvacoTCAD软件仿真验证,半超结RC-IGBT的耐压能力、正反向导通能力......
设计了一种用于芯片静电放电（ESD）防护的双向可控硅（DDSCR）器件。该器件具有对称性或非对称性骤回I-V特性,可以用于多种应用场合。器件......
在工型静动态统一本构关系的基础上,建立了Ⅱ型静动态统一本构关系,分别用Ⅰ型和Ⅱ型本构关系分析了有回跳特性的材料的力学行为.......
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横向绝缘栅双极晶体管(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor:LIGBT)具有电压控制、低导通电阻和高输入阻抗等优点,且兼具纵......
LDD工艺是CMOS集成电路进入亚微米后应用最广泛的技术，该技术很好地改善了沟道电场分布，避免了在器件漏端的强场效应，在可靠性方面明......
