SICGE相关论文
Growth of SiCGe ternary alloy on 6H-SiC in a conventional hot-wall CVD system was initially studied. SiH4, GeH4 and C3H8......
利用低压化学气相淀积工艺在6H-SiC衬底成功制备了SiCGe薄膜。通过光致发光（PL）谱研究了生长温度对SiCGe薄膜发光特性的影响。结果表......
用热壁CVD法在6H-SiC衬底上生长了SiCGe三元合金,样品生长呈现出显著的岛状特征.利用SEM,TEM,EDS和PL等分析手段对薄膜进行了特性......
针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe／3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计．用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行了......
文章利用国家信息中心开发的动态一般均衡模型（SICGE模型）来评估全国统一碳交易体系下碳价（100元/吨）的经济影响和减排效果。由于我国......
在6H-SiC衬底上异质外延生长SiCGe薄膜,通过调节材料的禁带宽度从而实现材料对近红外和可见光的较强吸收,进而开发碳化硅在光电子......
利用SiCGe能隙可在窄于碳化硅能隙的范围内适当剪裁的特点,在SiC衬底上生长p-SiCGe薄膜,通过调节p-SiCGe中Ge组分的比例来调节SiCG......
碳化硅是一种具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高的热导率以及高的临界击穿电场等优异特性的新型半导体材料。但是SiC禁带太宽,对......
