MFIS结构相关论文
铁电随机读写存储器(FeRAM)由于具有非挥发性、低功耗、高读写次数、高存取速度、高密度存储、抗辐射、与集成电路(IC)工艺兼容等......
分析了MFIS FET的工作机理以及影响MFIS电容的存储窗口特性的因素,提出用存储窗口与铁电薄膜正、负矫顽电压的差值来评价存储窗口......
采用旋涂法制备了基于铁电聚合物薄膜的Al/PVDF/SiO2/n-Si(MFIS)结构.通过测量MFIS结构的电容-频率特性和电容-电压特性,观察到负......
用铁电场效应晶体管（FeFET）作为存储单元的铁电存储器，具有结构简单、难以挥发、功耗很低、非破坏性读出、可多次反复读写、可高速大......
铁电随机读写存储器(FeRAM)由于具有非挥发性、低功耗、高读写次数、高存取速度、高存储密度、抗辐射、与集成电路(IC)工艺兼容等......
