MFIS相关论文
分析了MFIS FET的工作机理以及影响MFIS电容的存储窗口特性的因素,提出用存储窗口与铁电薄膜正、负矫顽电压的差值来评价存储窗口......
利用Atlas器件模拟软件,对MFIS结构器件的C-V特性及记忆窗口进行模拟。讨论了应用电压、绝缘层厚度及绝缘层材料等因素,对MFIS结构......
该文制备了TiN/Hf0.5Zr0.5O2(HZO)/HfO2/Si(MFIS)型的铁电晶体管栅结构,并在常规实验环境下对其进行了P-E、J-E、疲劳和保持等的电......
采用溶胶-凝胶法制备了Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/SrTiO3/Si多层电容即金属-铁电层-绝缘层-半导体结构,并对其电学性能进行了测试与分......
考虑历史电场效应,将描述铁电层矫顽电场分布的Preisach模型引入MFIS结构,和传统的MOS结构器件电荷薄片模型结合,对MFIS结构的C-V......
目前,中国经济发展速度与环境保护进展不相协调,"十二五规划"支持绿色产业的发展,鼓励环境保护与扶贫协调发展.绿色小额信贷兼具扶......
