LED外延片相关论文
介绍了通过出光表面粗化减少全反射的方法。理论计算了以腐蚀坑为三角坑的最优尺寸。实验使用熔融KOH腐蚀绿光LED外延片获得预计的......
目前,我国LED产业70%以上集中在中下游,日前,苏州市首个＂国字号＂纳米产业化项目、苏州新纳晶光电有限公司首批＂氮化镓LED外延片＂等产品......
2007年以来,各种利好政策推动了LED产业的崛起,比如深圳市LED相关企业数量就由2007年的700余家,迅速发展到了如今的2000多家。在“......
<正>从2005赣台经贸合作研讨会上了解到,江西将大规模生产本土的LED芯片,该项目将有望实现年产LED外延片30万平方英寸、LED芯片100......
位于浙江海盐经济开发区的亚威朗光电（中国）有限公司LED外延片生产项目正紧张建设中，作为杭州湾LED产业园的核心项目，公司核心技术团队......
在芯片制造业的上游,亚洲正发挥着越来越重要的作用。2011年,亚洲地区MOCVD（LED外延片生产必需的设备）的需求占全球的80%,2012年占比......
在实验的基础上,总结了电化学C-V的一些测试经验,提出了一种适用于测量AlGaInP LED 外延片中载流子浓度纵向分布的电解液--0.5 mol......
本文介绍了一种智能化激光荧光扫描光谱仪 ,可对大尺寸光致荧光样品进行扫描分析 ,从而获得需要的整体信息。进一步以发光二极管 (......
本文以提高GaN基LED的光提取率为切入点,介绍了表面粗化的方法。理论上主要针对剖面是三角坑的尺寸进行了比较和优化,得出了腐蚀坑......
