近年来,铟铝镓氮(InAlGaN)四元合金因其晶格常数和带隙可以独立调节而备受青睐,而生长温度对InAlGaN薄膜质量和性能有很大的影响.......

Pulsed metal organic chemical vapor deposition was employed to grow nearly polarization matched InAlGaN/GaN heterostruct......

Ⅲ族氮化物半导体材料由于在绿、蓝光至紫外光波段的发光器件领域有广泛的应用前景而成为研究热点,研制大功率,高亮度和长寿命的器......

利用拉曼散射实验方法对六方系InAlGaN晶体的光学声子进行了测量,同时利用修正随机元素同向位移模型对其光学声子与组分的关系进行......

利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜．在生长InAlGaN外延层时，获得了外延膜的二......

利用拉曼散射实验方法对六方系InAlGaN晶体的光学声子进行了测量,同时利用修正随机元素同向位移模型对其光学声子与组分的关系进行......

GaN基半导体在高电子迁移率晶体管HEMT器件具有无可比拟的优势,特别是表现出极高的微波功率密度、高效率、宽带宽等。GaN基HEMT器......