Ge纳米晶相关论文
由于嵌入SiO_2基体中的Ge纳米晶(nc-Ge)能发射可见光而有望用于制备新型光数据存储器等，目前它正成为人们感兴趣的研究热点。已发现......
晶体Ge、Si材料是间接带隙半导体,具有较小的光学带隙宽度和非常低的光辐射效率,且发光峰位于近红外,这在一定程度上限制了Ge、Si......
作者通过离子注入法得到了镶嵌于SiO2薄膜中的Ge纳米晶,并通过系统的氧化性或还原性退火处理,以改变样品中Ge的氧化物成分组成.分......
研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制.实验中利用不加磁分析器的......
用荧光扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)研究了磁控溅射法制备的镶嵌在SiO2中的Ge纳米晶的局域结构.结果表明,在Ge的摩尔分数为25%和6......
期刊
通过离子注入及中子嬗变掺杂制备了Ga(镓)掺杂~(70)Ge(锗)纳米晶,并对样品进行了质子激发X射线荧光分析谱(PIXE)、光致发光谱(PL)......
用射频共溅射技术和后退火的方法,制备出埋入SiO2基质中的Ge纳米晶复合膜(nc-Ge/SiO2).用XRD对薄膜的晶体结构进行了测试,未经退火......
Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳......
报道了分别采用剂量为1×10^16，1×10^17，5×10^17和1×10^18cm^-2的高剂量Ge离子注入，不需退火即可在SiO2中直接形......
以3-三氯锗丙酸和正硅酸乙酯为原料, 通过水解、缩聚凝胶热处理及氢气反应, 在SiO2凝胶玻璃中析出立方相Ge纳米晶, 当x=30时, 凝胶......
采用磁控溅射及退火的方法制备了含Ge纳米晶的SiO2复合膜,应用拉曼散射和X射线衍射技术研究不同退火温度下的Ge纳米晶结构。结果表......
半导体纳米材料具有优异的光电性能，在非线性光学器件、光电功能材料等方面具有极为广阔的应用前景。锗作为一种典型的半导体材料，对......
自从S.Wiwari在应用物理快报上,公布出第一个基于Si纳米晶存储电荷的纳米浮栅存储器,全世界越来越多的研究人员开始关注这种新型的......
