GaN基LED相关论文
In组分渐变InGaN/GaN量子阱结构可以有效解决因晶格失配所带来的LED发光效率降低的问题。本文采用Silvaco软件建立了In组分渐变量......
为了研究电极形状对蓝宝石衬底GaN基LED的电流扩展色影响.本文建立了一个电流扩展模型来分析器件的电流分布,并用自己做的芯片验证......
外延晶格失配等引入的非辐射复合缺陷是影响GaN基LED性能的重要因素。对不同LED样品老化1 600h前后的I-V特性、理想因子以及量子效......
GaN基LED的电流横向扩展导致电流分布不均匀的现象仍是目前亟待解决的难题,对于高压倒装LED更是如此。传统的LED工艺把负电极直接......
随着Ⅲ族化合物半导体技术的发展,以氮化镓(Gallium Nitride,GaN)为代表的氮化镓及其多元化合物作为发光材料受到人们极大的关注。......
基于时域有限差分法(FDTD)在GaN基LED表面分别生长了ZnO柱状与锥状微纳结构,并利用Rsoft模拟仿真软件分析了两种结构的几何参量(排......
近年来,GaN基发光二极管(LED)由于耗能低、绿色环保、寿命长、尺寸小等优点引起了人们越来越多的关注,被广泛用于全彩显示器、交通......
GaN基LED因其发光波长可实现从红外到紫外连续可调,已被广泛应用于固态照明领域。然而,不同波长LED发光效率发展极不平衡。目前GaN......
亚波长金属光栅结构是近年来迅速发展起来的纳米功能元件之一。将亚波长光栅结构和GaN基LED发光芯片集成一体，在提高出光效率的同时......
GaN基LED是一种新型固态光源，具有节能、光电转换效率高、寿命长、安全环保等显著特点，已被广泛应用到各个领域，具有极大地潜力，有成为......
GaN基LED以其节能、环保和长寿命等优点，在照明和显示等应用领域中有非常广阔的前景，是半导体光电器件研究的热点。本论文主要对图形......
随着电子技术的不断发展，静电防护技术不断提高，无论是在LED器件设计上，还是在生产工艺上，抗ESD能力都有明显的进步，但是，GaN基LED毕竟是......
纳米柱结构是释放高In组分InGaN/GaN绿光LED量子阱层应变的有效方法。本文采用自组装的聚苯乙烯微球掩模、感应耦合等离子体干法刻......
影响GaN基LED效率的主要因素是内量子效率和提取效率.蓝光GaN基的LED内量子效率可达70%以上,紫外GaN基LED可达80%,进一步改善的空......
蓝宝石图形衬底可以降低外延位错密度并增强背散射光,已经成为制备高亮LED有效技术手段。本研究运用时域有限差分（FDTD）法模拟和比较......
据媒体报道，近日，中科院上海光学精密机械研究所承担的“新型GaN基LED荧光衬底一掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”项目通过验收。该项......
从几何和物理光学角度分析了影响GaN基LED提取效率的因素,并以理论分析为基础,利用Monte-Carlo光线追踪的方法,对GaN基LED的提取效......
本文介绍了GaN基材料和LED的基本特性,从其发展进程中不难看出对GaN基LED的发展前景十分广阔。GaN基LED是第三代半导体材料,正是现......
通过模拟计算,分析了阵列微透镜粗化对倒装结构GaN基LED提取效率的影响.并采用感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术在蓝宝石表面制备......
水下无线通信在观察水下物种和生态的演化、开采水下资源以及国家国防等活动中起着至关重要的作用。水下可见光通信以其保密性强、......
1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制......
目前蓝宝石在LED市场中的应用范围变得越来越普遍,这归因于其较低的制造成本。尽管如此,GaN(氮化镓)薄膜和蓝宝石衬底之间较大的晶......
由于LED具有电光转换效率高、寿命长和节能环保等优点,以GaN基LED为主的半导体照明近年来发展非常迅猛,各种应用层出不穷,当前在全......
本文采用热H2PO4湿法腐蚀方法对GaN表面进行粗化处理，比较了不同腐蚀条件对表面形貌的影响，并对最终器件光电性能进行测量，分析结果显......
根据多年来芯片制作的经验，我们从外延到芯片制作的各个工序，探讨了可能影响LED稳定性的原因，并提出了部分解决方案。......
“回熔”依然是Ga N-on-Si光电器件发展到今天的主要难题,严重影响量产的稳定性与器件的可靠性。当前“多腔+Al N模板”生长法能避......
采用多色LED芯片组合可以提供更优质、更稳定、有良好色温可调性的“智能化”白光光源,是白光照明未来的方向,在显示和可见光通信......
大电流驱动下的蓝绿光LED光效衰减以及器件老化是业内关注的热点问题。本文围绕GaN基蓝绿光LED的光效衰减问题,通过不同的检测方法......
近年来,GaN材料以其优良的光电性能,一直是半导体材料领域的研究热点,并且在固态照明领域具有诱人的应用前景。目前多数商业化的Ga......
针对目前蓝宝石衬底上外延生长制备的GaN基半导体发光二极管(LED)器件存在电流分布不均匀的问题,建立了LED的电流扩展模型,提出了......
近年来，由于蓝光和绿光氮化镓基发光二极管（GaN基LED）具有发光效率高、节能、寿命长、尺寸小和污染小，极大地激起了人们将之应用于背光......
LED（Light Emitting Diode，发光二极管）凭借其寿命长、能耗少、光效高等优点正逐渐取代传统的照明光源，越来越广泛的应用于照明领域中......
发光二极管作为继白炽灯和荧光灯之后第四代照明光源,具有节能,环保和寿命长的特点。已从最初的景观照明、交通信号显示等领域,开......
本文利用脉冲激光沉积技术(PLD)和直流磁控溅射技术制备了性能优良的氧化锌掺铝(AZO)透明导电薄膜,对AZO薄膜用作于GaN基发光二极......
GaN基LED作为一种新型的固态光源,具有低功耗,长寿命,高发光效率等优点,在显示、照明、指示方面发挥着越来越大的作用。尽管GaN基L......
本文的主要工作是采用本实验室自行研制MOCVD系统对Ni／Si(111)衬底上ZnO薄膜的生长进行研究。通过对生长工艺的改进及对所生长出的......
相对于蓝宝石和SiC而言,Si衬底与GaN薄膜之间存在着更大的晶格失配和热失配,Si衬底GaN基LED外延膜生长技术和器件的稳定性面临着更......
LED属于固态照明光源，其工作原理是将电能转化为光能。LED具有寿命长、控制方便、高效能等优点，属于典型的绿色能源。但是在传统的Ga......
采用脉冲激光沉积法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能。当沉积压强为0.1 Pa时,AZO薄膜光电性能最优......
为了解决由于极化效应引起的漏电流影响发光效率的问题，以k．p理论为基础建立多量子阱模型。分析研究了GaN基LED中不同的InGaN／InGaN多......
对GaN基TFT-LED有源阵列显示芯片结构进行了优化设计,并详细介绍了它的工作原理。文中采用Cadence公司的Virtuoso Spectre Circuit......
随着半导体器件应用的不断发展,越来越多的光电子器件需要工作在辐照极端恶劣的环境中,这对光电子器件抗辐照能力提出了更高的要求......
因蓝宝石具有良好的稳定性能,且其生产技术成熟,是目前异质外延GaN应用最广泛的衬底材料之一。采用图形化蓝宝石衬底技术可以降低G......
