GaAsBi相关论文
Integration of Ⅲ-Ⅴ materials on germanium(Ge)substrate,which has been investigated for decades,provides an effective m......
针对低激发功率密度光致发光(photoluminescence,PL)谱信噪比(signal-to-noise ratio,SNR)对GaAs1-xBix带尾能级探究的限制问题,基......
为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延（GSMBE）技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH3......
针对低激发功率密度光致发光(photoluminescence,PL)谱信噪比(signal-to-noise ratio,SNR)对GaAs1-xBix带尾能级探究的限制问题,基......
用分子束外延(MBE)技术外延生长了GaAs 1-x Bi x(0<x<0.05)合金样品,并通过二次离子质谱(SIMS)研究了样品中从MBE腔体背景引入的诸......
随着集成电路产业高速发展,超大规模集成电路发展过程中的性能提升和功耗难题是当前业界的首要挑战。由器件动态功耗构成可知,在保......
近些年来,信息技术的发展日新月异,带动了光电材料与器件的快速发展。GaAsBi半导体光电子材料具有良好的光电特性,特别适用于长波......
近几十年来,从传统的体材料开始,逐渐演变出薄膜、超晶格和二维原子结构等低维材料,因其表现出了很多异于体材料的优异的机械、光......
