GAAS晶体相关论文
结合VB-GaAs晶体生长工艺、对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了实际的修正因子.针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供......
利用GaAs晶体作为可饱和吸收体, 实现了掺镱光子晶体光纤激光器的被动调Q输出。实验用掺杂光子晶体光纤的芯径为21 μm, 数值孔径......
论述了用于宽调谐太赫兹(THz)探测的菲涅耳准相位匹配技术方法的原理，讨论了共振及非共振菲涅耳相位匹配的条件，重点研究了Goos Hanc......
研究了一种基于GaAs晶体非稳态光感生电动势效应的非线性激光干涉振动测量系统，以固体激光器为光源，以零差干涉光路进行测量。信号光......
温度是工业生产和控制过程中一个重要的检测参数，随着科学技术的发展，温度检测的手段越来越多样化，在很多特殊场合传统电类温度传感器......
通过对GaAs晶体产生极化电子束流的实验过程研究,着重对yo-yo过程中不同的实验参数对产生极化束流以及束流稳定情况的影响进行了分......
利用同步X光透射形貌技术，研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶......
传统的光学差频产生的太赫兹辐射转换效率低,不能获得高功率太赫兹辐射。本文对周期极化GaAs晶体中差频产生太赫兹辐射进行了理论......
研究了基于GaAs晶体的腔相位匹配(CPM)差频产生太赫兹的过程,得出太赫兹波长与最优腔长之间的关系,并结合温度对太赫兹波长的影响,......
Recent progresses made by authors on monochromatic and tunable terahertz(THz)generation based on nonlinear optics are re......
自旋极化电子在许多研究领域有着广泛用途,目前国际上普遍采用光电离GaAs晶体产生自旋极化电子.本文介绍自旋极化电子产生的原理及......
本文报导了应用变温光伏方法无需制作特定样品结构而可以非破坏性地测定N型低阻GaAs单晶的表面势垒高度和表面态密度的研究。结合......
结合VB-GaAs晶体生长工艺，对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨，提出了掺杂计算的修正因子。针对不同浓度要求的材料，通过工艺控制可提......
基于腔相位匹配的方法,研究了GaAs微片状晶体构成的光学微腔光参量振荡产生太赫兹波的条件与参数设计.计算了腔相位匹配下GaAs晶体......
用有限元法对微重力环境下液封浮区(LEFZ)法生长的3英寸GaAs单晶中的热应力进行求解.假设晶体处于准定常状态且为轴对称的各向同性......
介绍了用湿法化学腐蚀的方法制备GaAs晶体微型电光探针，用光学显微镜和扫描电子显微镜观察了探针形貌，微探针为金字塔形，底座是边长为......
本文报道在GaAs晶体中用1.15μm红外He—Ne激光进行相对传播的双光束耦合的实验研究,测量了透射光束偏振面的旋转角(?)与两束光强......
飞秒激光和超快光谱的发展使我们能够产生并直接检测相干声子的振荡模式。人们利用超短光学脉冲泵浦-探测技术对半导体、金薄膜、......
在电光取样技术和高速光通信系统中，对1.31μm和1.55μm波长的超短激光脉冲的测量日益显得重要。而砷化镓（GaAs）晶体是光电子学领域重......
本文对各种GaAs晶体表面作了SEM电子通道技术测量,对测得的电子通道花样进行了结晶学注释,确定了评价晶体完整性的标准。可广泛用......
THz波在电磁波谱中所处的位置,及其自身主要特点和在光谱学、材料学、生物医疗、通信,及国防反恐等方面广阔的应用前景,使其受到了......
LEC法生长的轻掺铬高阻GaAs 晶体熔融KOH腐蚀坑SEM观察结果表明,轻掺Cr-GaAs晶体位错的径向分布呈“W”型。这是由于GaAs单晶生长......
本文通过分析半导体GaAs晶体的温度传感机理,设计了一种基于虚拟仪器技术的半导体吸收式光纤温度传感系统,采用Labview平台实现信......
对太赫兹波（THz波）科学与技术的研究是目前全世界最为活跃的研究领域之一。现阶段对太赫兹的研究主要集中在THz波的产生、传输和探测......
