Cd掺杂相关论文
Cu2ZnSn（S,Se）4（CZTSSe）为p型半导体材料,由于其组成元素地壳储备丰富无毒、光吸收系数较高(＞10~4 cm-1)、带隙可调（1.0 e V-1.5 e V）、与......
工业化带来了经济发展,但其负面影响之一是环境污染愈发严重,研究表明世界90%的人口每天都在呼吸被污染的空气。而且由于人们花费9......
对于电子薄膜材料研究,薄膜的微观结构、成分和厚度是决定薄膜性能的一个关键因素。如何表征薄膜的微观结构、成分和厚度也一直是......
在非水稀溶液中以聚乙烯吡咯烷酮K-30为稳定剂,硫脲为表面修饰剂,制备Cd掺杂ZnO水溶性量子点荧光体;同时研究了基质的优化及硫脲含......
以氯化锌、氯化镉、氢氧化钠为原料,采用水热法合成Cd掺杂纳米花状ZnO光催化剂,并通过该样品对罗丹明B水溶液的降解来研究其光催化......
文章采用了双晶衍射和同步辐射X射线貌相实验手段,对扩散掺杂Cd前后InSb单晶中位错密度的变化进行了对比分析.研究证实了扩散会导......
作者采用Zn+Cd粉,制得了大量阵列Cd掺杂ZnO纳米梳子.这些纳米梳子通过X-射线衍射仪(XRD)、X-射线光电子能谱仪(XPS)、透射电子显微......
研究沉淀法合成Cd掺杂ZnO纳米颗粒的结构和光学特征。X射线衍射分析表明，掺杂Cd的置换不影响ZnO的基本铅锌矿型结构。随着Cd掺杂增......
通过溶液法合成了Cu2SnS3（CTS）薄膜,并研究了不同Cd含量对CTS薄膜晶体结构和性能等方面的影响.研究发现通过Cd掺杂可以有效调节CTS的......
本文采用水热法成功的合成了纯ZnO和ZnO∶Cd纳米棒.借助扫描电子显微镜、X射线衍射仪等研究了纯ZnO和ZnO∶Cd的形貌、结构及性质。......
文章采用溶胶-凝胶法（sol-gel法）制备Cu2（Cd,Zn）SnS4（CCZTS）薄膜,研究不同Cd/Zn成分比对CCZTS薄膜性能的影响。研究结果表明,Cd的掺入导......
文章利用化学气相沉积法合成了不同摩尔比的Cd掺杂的In2O3纳米线，制备了基于单根In2O3纳米线的底栅场效应晶体管，并研究了其电输运特......
以氯化锌、氯化镉、氢氧化钠为原料，采用水热法合成Cd掺杂纳米花状ZnO光催化剂，并通过该样品对罗丹明B水溶液的降解来研究其光催化活......
采用水热和煅烧工艺制备具有良好分散性的多孔纳米球形Cd掺杂In2O3颗粒,并对其甲醛气敏性能进行测试.结果表明：Cd掺杂量较低时得到......
采用溶胶-凝胶法制备了Cd^2＋掺杂改性TiO2纳米颗粒,利用XRD、TEM、XPS和UV-Vis光谱对掺杂前后颗粒的结构和性能进行了表征。结果表......
采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备了不同掺Cd浓度的ZnO薄膜。X射线衍射（XRD）结果表明,所制备的薄膜具有c抽择优取向,随着Cd掺杂浓度......
采用热蒸发法制备得到掺Cd量为3.3at%的ZnO纳米管,室温光致发光谱（PL）显示,由于Cd的掺入,ZnCdO纳米管的紫外近带边发射（UV NBE）从纯ZnO......
Cu2ZnSn（S,Se）4（CZTSSe）作为吸收层材料以无毒、地壳储备丰富、光学带隙可调（1.01.5 eV）和高吸收系数(104cm-1)等优势备受关注。CZTSSe薄......
