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文章采用了双晶衍射和同步辐射X射线貌相实验手段,对扩散掺杂Cd前后InSb单晶中位错密度的变化进行了对比分析.研究证实了扩散会导致InSb位错密度增加,导致双晶衍射的半高宽增加.较低的半高宽数值对应的X射线貌相中未观察到位错线,只有具有较高的半高宽数值的InSb单晶的X射线貌相上才显示了位错线.本文认为酸蚀可以有效去除InSb浅表面的高缺陷层.