半高宽相关论文
新型固态照明与显示技术具有亮度高、效率高、节能环保等显著优势，已成为室内外照明、汽车大灯、激光电视等高端照明和显示领域的主......
随着宝石合成技术的发展,合成宝石的种类和方法也在不断的增多,不同方法合成宝石与其对应的天然宝石的常规宝石学特征、晶体结构以......
学位
为了实现对OLED RGB三色色坐标的稳定控制并进行制程上的管控,本文进行了色坐标与光谱峰值、半高宽、对称性关系的分析,例如通过对......
利用X射线衍射法,测定高炉风口焦炭中碳(002)晶面X射线衍射峰半高宽,根据B-T温度标定曲线,推断出首钢大型高炉风口平面径向焦炭温......
生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的,由其X光衍射得知,生长过程中分段退火和最后退火在......
The effect of shape, height, and interparticle spacing of Au nanoparticles (NPs) on the sensing performance of Au NP arr......
磁纳米粒子(MNP)由于独特的纳米尺度超顺磁性质而在生物医学领域得到广泛的关注与应用。研究单个MNP对整体磁场的影响，对MNP测温精......
磨削可使金属材料的表层硬化或软化,从而影响零件的疲劳性能.显微硬度和X射线衍射线半高度是当前用来表征硬化或软化沿材料表层(包......
本文指出对纤维及其复合材料的强度指标仅用平均强度来表征是不全面的,应同时考虑反映材料强度分布状态的参数大小。通过对大量不......
本文对采自苏州阳山、湖南界牌的13个高岭石样品进行了系统的X射线粉晶衍射研究,得出了一个高岭石结构有序-无序系列。分析发现X射......
工业纯钛中存在一个峰温为440C(f=1Hz)激活能为203kJ/mol的内耗峰,加入微量稀土元素钇后峰温向高温移动,峰高下降。用O—Y原子对模......
利用急冷凝固的方法制备Al72.7Ni8.0Co19.3准晶,用X线衍射仪测定Al72.7Ni8.0Co19.3准晶的衍射强度。结果表明在Al72.7Ni8.0Co19.3......
化学沉淀法制备了SiO2和CeO2以及复合氧化物CeO2-SiO2等纳米粉体。对粉体的形貌及物相结构、粒径大小通过TEM及XRD进行了检测分析......
提出一种基于声子晶体线缺陷波导的多通道结构来实现声波定向激发。一束入射声波在该结构中传播时被分割成多束分支,这些分支声束......
为研究同时运用废气再循环(EGR)技术和燃用生物柴油对柴油机排气颗粒纳米结构的影响,分别采集0%,15%,30%EGR率下186F柴油机燃用生......
用ＩＣＢ外延技术在ＮａＣｌ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上生长了ＣｄＴｅ单晶薄膜．Ｘ光衍射、电子背散射通道及ＲＨＥＥＤ都表明获得了良好的单晶结构及平滑膜面．外延取向关系为ＣｄＴｅ（１００）／ＮａＣｌ（１００）和ＣｄＴｅ（１１１）／Ｓｉ（１１１）．实验发现，生......
作者利用双晶Ｘ射线衍射技术，研究了不同切割速率下硅晶片的切割损伤。实验得出切割速率不影响损伤层的厚度，但影响损伤层内的微观应力......
在国内首次用NH3作氮源的GSMBE方法在α－Al2O3衬底上成功地生长出了高质量的GaN单晶外延膜．GaN外延膜的（0002）X射线双晶衍射峰回摆曲线......
本文利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响．退火使量子点发光峰蓝移，发光强度减弱．深埋的量子......
利用ＭＢＥ方法在（００１）ＧａＡｓ衬底上生长了多层竖直自对准ＩｎＡｓ量子点结构．透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布．同单层量子点相比，多层量子......
采用高压低温掺氢技术提高了普通单模光纤的光敏特性，利用相位掩膜法，通过紫外写入的方式，在普通含锗光纤上制备了光纤光栅，获得的Ｂｒａｇｇ反射......
用常压ＭＯＣＶＤ在Ｇｅ衬底上外延生长了ＧａＡｓ单晶层，研究了ＧａＡｓ和６ｅ的极性与非极性材料异质外延生长，获得了质量优良的ＧａＡｓ／Ｇｅ外延片，ＧａＡｓ外延层Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高......
本文报道采用改进的磁控Ｓ枪，利用直流反应磁控溅射技术，通过合理地控制调节，已成功地在硅衬底上制备出Ｃ轴取向高度一致的ＺｎＯ纳米级材料，其Ｘ射......
发现由ｎ型单晶硅光照辅助阳极化制备的多孔硅在经过较长时间室温空气中放置氧化后，部分样品出现了蓝色光致荧光．荧光及红外透射、反射......
激光金等离子体Ｍ带０．３４６～０．３７２ｎｍ范围内精细结构谱，是金等离子体的类Ｃｏ、类Ｎｉ、类Ｃｕ、类Ｚｎ离子的３ｄ－５ｆ、３ｐ－５ｓ跃迁子阵形成的。在自旋轨道劈裂阵模型下，对平均波长在该......
本文报道采用简便的真空反应法在Ｓｉ（１１１）衬底上生长出了六方结构的ＧａＮ单晶薄膜，并对ＧａＮ薄膜的表面形貌、结晶学性质和光学特性作了研究．ＳＥＭ表明外延层......
[本刊讯 ] 宽能带隙ＳｉＣ属于第三代半导体材料。ＳｉＣ器件具有比硅器件或ＧａＡｓ器件更为突出的优点 ,诸如更高工作频率 ,更大的功率 ,更高的工作......
对凸轮轴精磨后在凸轮表面产生周向裂纹的原因进行分析研究．结果表明，磨削条件不良和凸轮热处理残余应力较大是造成周向裂纹的主要原......
我们研究了采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积 (ECR PEMOCVE)技术在GaAs( 0 0 1 )衬底上外延生长立方GaN的过程中......
利用等离子体MOCVD设备在 (0 0 1)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析 ,优化了薄膜......
本文利用X射线光电子能谱法和X射线衍射分析,研究了双注法高感乳剂乳化过程中,碘离子的引入时刻对于乳剂颗粒内碘离子分布情况的影......
用光学金相显微镜、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜等研究不同时效温度下PH15-7Mo钢的组织,用洛氏硬度计测试钢的力......
利用 MOCVD技术在提高生长温度 (90 0℃ )下生长出了高质量的立方相 Ga N ,生长速度提高到 1.6μm / h.高温生长的 Ga N样品近带边......
用NMR~1H 谱的半高宽(W_H)及弛豫时间(T_2)研究18—冠—6分子在丙酮溶液中构象转化的动力学过程,阐明了在该体系中18—冠—6可能存......
气相色谱分析中气体进样通常采用进样阀和注射器。用注射器进样,由于操作简便、灵活、重现性较好,是一种常用的工具。按色谱理论,......
用衍射仪测得的衍射线的半高宽,经过 Kα_1、Kα_2双线校正和仪器因子的校正,代入 Scherrer 方程来计算晶粒的平均大小。绘出了双......
对用X射线衍射线宽法测定粉末样品晶粒平均大小进行了研究。使用日本理学3014衍射仪进行测定。其基本依据是Scherrer方程: D(hkl)......
本文测定了不同加热温度下镀铁层宏观内应力、显微硬度以及晶粒度和微观应力随加热温度的变化，并观察镀铁层组织的变化．根据测定说明......
本工作测量了五种国产活性炭上吸附汽油的~1H NMR参数。发现质子化学位移值与汽油解吸度,谱线半高宽与活性炭对汽油的饱和吸附容量......
一前言Cr12MoV是一种莱氏体型高合金冷作模具钢。经锻轧后的棒材,碳化物分布不均匀,带状组织严重。淬火及低温回火后,这种粗大带......
碳钢及低合金钢淬火后所得到的马氏体组织一般都要经过适当的回火,以便得到较好的综合性能。不同回火工艺其性能明显的不同,其中......
