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高速器件设计中,在相同或者更长的传输距离上提高器件和系统速度,在相同甚至更小的功耗和面积条件下保持相同或者进一步提高性能和......
随着数字电路在星上产品的运用越来越多，由数字电路引发的故障也随之成为关注的焦点。在实际的设计和生产数字电路过程中，由于器......
介绍了一种基于PCI总线和DSP的振动控制系统的数据通信实现,并说明了使用CPLD实现扩展SRAM和双口RAM的设计方法.简单阐述了DSP与PC......
近几年来,GaN以代表的新一代Ⅲ-Ⅵ族氮化物半导体材料发展迅猛.GaN具有禁带宽度大,热稳定性及化学稳定性好,电子极限漂移速度大等......
该文综述１０ Ｇｂ／ｓ ＴＤＭ光纤传输系统的一些关键技术，包括光调制、予啁啾、色散补偿、光放大，及光电器件及高速器件。......
随着信号的沿变化速度越来越快,今天的高速数字电路板设计者所遇到的问题在几年前看来是不可想象的.对于小于1纳秒的信号沿变化,PC......
高速器件设计中．在相同或者更长的传输距离上提高器件和系统速度，在相同甚至更小的功耗和面积条件下保持相同或者进一步提高性能和可......
中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部科研人员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构晶体管“硅—......
SiGe射频和数字半导体器件的世界市场2005年达到1．8亿美元。在2005年时，预测SICeIC将占高速器件市场（1900万美元）的10％，可与Si与GaAS芯片......
<正> 1988年国际固体器件和材料会议于8月24日至26日在日本东京市举行。来自16个国家和地区的755名代表参加了会议,共宣读论文175......
本文报导了２μｍ高性能单层多晶硅双极器件及工艺。为了改善器件性能，对基础工艺的改进和完善作了试验，如减少外延自掺杂及缺陷；改善ＥＣ漏电......
