阻变特性相关论文
随着信息时代的发展,人类社会对信息存储需求越来越大,大大推动了相关新型存储技术和新型存储材料的研究进展,无铅钙钛矿型材料铁......
CoFe2O4作为一种典型的反尖晶石结构的铁氧体材料,其独特的磁电性能为实现忆阻器的多级存储提供了可能,深入研究CFO薄膜的阻变特性......
阻变存储器由于结构简单,存储密度高,体积小等优点被视为是下一代通用的非易失性存储器。同时,随着可穿戴器件的飞速发展,对阻变存......
随着柔性电子概念的提出,人们纷纷将目光转向柔性电子器件的研发中,例如可穿戴设备,柔性太阳能电池和电子皮肤等。存储器方面,尤其......
忆阻器件是一种新兴电气元件,可以实现丰富的跨学科科学和新颖的器件功能,例如非易失性存储器和基于纳米离子的突触电子器件。WO3......
在数据大爆炸当代,数据信息处理的需求急剧增加。具有强大处理能力和高能量效率的神经形态计算结构已成为信息技术领域的重要研究......
阻变效应可以应用于阻变存储器件、人工神经网络的突触可塑性模拟器件,在存算一体化领域展现出一定的应用前景,近年来成为功能材料......
基于过渡金属氧化物的非挥发性阻变存储器(RRAM)被认为是极有可能替代Flash及DRAM等传统存储器而成为下一代存储器的强有力候选者.......
记忆晶体管是结合忆阻器和场效应晶体管性能且同时实现存储和信息处理的一种新型多端口器件.本文采用微机械剥离的多层二硫化钼(Mo......
阻变随机存储器具有低压、高速、低功耗、结构简单、与CMOS传统工艺兼容、低成本、高密度等优势而越来越受到广泛的关注，被认为是下......
随着大数据、云计算、物联网、人工智能等信息产业的快速发展,市场对非易失性存储器的需求与日俱增。然而,由于物理限制器件的特征......
金属氧化物在微电子、铁电和光电子领域有广泛的研究与应用,特别是过渡金属氧化物和钙钛矿氧化物在半导体中的广泛应用,为现代信息......
阻变存储器(RRAM)作为下一代非易失性存储器的重要应用受到越来越广泛的关注,其中,无机阻变存储器相对于有机存储具有结构简单、制......
铁电材料因其具有优异的铁电性和压电特性等,引起了科学研究者的广泛研究。以超薄铁电材料为势垒的铁电隧道结因具有低能耗、非易......
随着硅化学到信息时代的转变,我们正处于大数据时代,而存储器即为数据信息技术不可或缺的元素之一。这样的背景下,如何制备存储可......
随着信息化社会的不断发展,各界对于非易失性存储器有了更高的需求。在非易失存储器中,铁电存储器、相变存储器和磁阻存储器因其结......
当今非易失性数据存储技术具有高密度、低功耗、读写速度快及低成本等特点。随着大数据时代到来临,传统的数据存储技术或将面临具......
信息技术的快速发展要求电存储器件具有非易失性、存储容量高、响应速度快和制造成本低等特性。聚合物存储器具有运行速度快、存储......
随着现代半导体工艺的发展,器件尺度的缩小逐步达到物理极限,进一步提高存储器件集成度已变得非常困难。为了解决这些问题,人们必......
虽然Flash技术在当今半导体存储领域仍然占有很大市场,但是由于Flash技术高的操作电压(5V以上)、低的操作速度以及低的存储密度等......
以典型的钙钛矿型(ABO3型)结构的BaTiO3为代表的铁电材料具有较高的介电常数，是制造铁电陶瓷电容器的基础材料，也是目前国内外应用最......
自2008年惠普公司利用忆阻器件建立了忆阻器的物理模型以来,忆阻器在新型非易失存储、逻辑运算和大脑神经功能模拟方面都展现出了......
随着时代与科技的发展,人们身边的电子产品越来越多,像相机、智能手机以及平板电脑等等都在改变着我们的生活。这是一个信息爆炸性......
阻变存储器凭借其操作电压低、读写速度快、数据储存时间长、储存密度高以及微缩化前景良好等特点,被认为是最具潜力取代传统Flash......
随科技进步，传统存储器件已不能满足人们的需求，对高容量存储器的需求越来越大。向存储器件中引入p-n界面是提高存储密度的一个有效......
随着有机分子材料和纳米技术的发展,分子包埋纳米粒子(NPs)薄膜正逐渐成为未来电子信息材料的基础。有机柔性存储器件以其低成本、......
随着科学技术的进步,传统存储器件已不能满足人们的需求。阻变式存储器以其功耗低、高存储以及制备简单等优点而受到广泛研究。多......
随着镀膜技术的飞速发展,磁控溅射、电子束蒸发、电弧离子镀等PVD技术已被广泛应用,而对于新型微纳光电器件而言,现有镀膜方法的镀......
常见的阻变材料有固态电解质材料、碳基阻变材料、有机阻变材料、复杂氧化物材料及二元金属氧化物材料等。近来年，基于稀土氧化物制......
随着英特尔公司宣布开始量产22纳米工艺制程的芯片,集成电路的器件线宽不断减小,基于电荷存储机制的传统存储器已经遇到极大的挑战......
随着存储密度的不断提高和器件尺寸的不断缩小，传统的半导体存储器DRAM和Flash都已经接近其物理极限，进一步的缩小将面临很多技术难......
随着MOSFET器件尺寸的减小，尤其是栅电极SiO2介质层厚度的减小，出现了漏电流增大与器件可靠性降低两大问题。使用高介电常数(High-K)......
数字计算机是二十世纪最重要的时代标志，成为推动人类科技进步的主要力量。然而，随着信息时代的不断发展，人们对计算机性能的要求不再......
随着集成电路技术的发展，在大容量、低成本存储器需求的带动下，基于不断减小的工艺尺寸，崭新的物理存储机制技术开发的新型存储器成为......
锆钛酸铅(Pb(Zr x Ti1-x)O3,0<x<1)是传统的铁电材料之一。由于其独特的铁电、热电以及压电等性能,基于铁电薄膜的器件一直受到人......
随着大数据时代的到来;数据量以指数级增长;传统闪存已经越来越迫近物理极限;难以满足海量数据存储需求。开发下一代低功耗、高速......
随着信息科学技术的发展,电子系统对存储器的要求越来越高,特别是随着可移动智能设备、云计算机、云存储和高清影音的出现。存储器......
本论文围绕超宽带隙半导体材料Ga2O3和BN的制备及阻变特性展开了研究工作。超宽带隙半导体材料因其大的禁带宽度,高的电子迁移率以......
半导体器件微型化是电子产业的一个重要发展方向，由于Flash存储构造的限制，其尺寸已经走到了理论极限32nm。阻变存储器主要在器件结......
现代信息技术遵循摩尔定律日新月异的高速发展中，对高密度、低功耗、高存取速度的追求使传统的FLASH存储器尺寸已逐渐接近其能缩小......
Ni O是一种典型的p型半导体,具有良好的光学及电学特性。Ni O同时是现在应用于阻变存储器RRAM研究比较热门的材料。ZnO也是一种重......
存储器是各大电子产品的核心部件之一,随着科技的不断进步生活水平的不断提高,人们无疑对电子产品中使用的存储器的性能提出了跟高......
在当前数字化，科技化的信息时代，半导体存储器已经成为日常生活、办公中不可或缺的一部分。然而作为主流非挥发存储的闪存(Flash)，在......
随着市场对高容量、低功耗、具有快速存储能力的存储器需求的增加，非挥发性存储器（Nonvolatile Memory）在半导体工业中得到了广泛的应......
阻变是指经过外加电压的调控可以在高阻态和低阻态重复转变现象,已经在很多金属/阻变介质/金属结构中观察到,这种阻变特性可以用来......
2000年,美国休斯顿大学的科学家S. Q. Liu等人发现电脉冲触发可逆电阻转变效应,他们并提出RRAM(resistance random access memory)......
近年来，随着个人移动产品的流行趋势和传统存储器自身物理尺寸的限制，开发探究新一代非易失性存储器成为了半导体工业中的一个热点研......
