阀值电压相关论文
本文论述了微放电现象产生的原因和影响微放电产生的因素,以及微放电发生对微波铁氧体环行器造成的伤害.提出了在设计铁氧体环行器......
该文研究了CVD金刚石膜场发射性质。金刚石膜是利用热灯丝化学气相沉积法制备的。实验研究表明,金刚石膜场发射阀值电压强烈的依赖......
用钴-60γ射线对功率MOS晶体管进行辐照实验,研究了器件阀值电压、漏源击穿电压、截止漏电流等电参数在不同偏置条件下的退化规律.......
该文针对氢离子敏场效应管(H-ISFET)在研制过程中出现的突然反型,即阀值电压V负跳变几伏至十几伏的现象,进行了研究。以H-ISFET理论......
基于对工艺偏差不敏感的温度补偿机制,提出了一种低工艺偏差的低功耗基准电流源.利用MOS管的阈值电压和片上电阻的温度系数在工艺......
从实验和理论两个方面研究了斜劈盒中胆甾相液晶螺距变化对阀值电压的影响.实验结果表明:阀值电压不仅与螺距数有关,而且与边界条......
本文介绍了非挥发性存储器的基本结构和工作原理,介绍了工艺过程中的控制要点和工艺优化的方法,给出了MNOS器件制作的工艺流程以及测......
详细叙述了非对称式CMOS多谐振荡器的工作原理,从微分方程的建立、求解开始,建立了CMOS多谐振荡器振荡周期的数学模型,并结合该数学模......
通过求解二维泊松方程推导了一个简洁的短沟道MOS的阈值电压模型,得到的DIBL因子可用于分析参数对短沟道效应的影响。模拟的结果能......
摘 要:广东某电厂进行转速回路校验过程中发现MMS 6312卡件不能显示转速信号,经检查发现,这是由于实际输入TSI卡件的转速信号与系统设......
上海沪通电子仪器厂生产的GD350-B型高频电刀是采用VMOS器件作功效设计制作的连续型大功率高频电刀,射频振荡由CMOS晶振产生,推动级......
NCP345是安森美公司推出的一种通用过压保护集成电路.该器件主要特点:一旦出现输入过压,关断输入电压的时间小于1μs,使负载电路得......
本文首先分析了影响pH-ISFET阈值电压的几个因素.随后给出了在不同的离子注入参数下SOS型MISFET的阈值电压(V_T)_M及对应的参比电......
介绍几种简单实用的电源故障检测报警电路及电压监控电路,并详细介绍了电路结构及工作原理,试验结果表明,该电路工作可靠,能够迅速准确......
介绍了超导储能系统的失超保护实验,分别对实验装置、失超保护系统、实验连线以及实验电路四个方面进行了阐述。在超导储能系统运行......
本文对推动电源调压板中调压控制信号形成电路和驱动1A,1B调压电路的工作原理进行了分析,同时又叙述了各自的作用。......
本文通过对TTL与非门电压传输特性的研究,介绍通过三种不同的实验方法,可以取得不同的实验效果。......