铜线键合相关论文
在微电子封装中铜丝以其高强度、低成本的优势,有逐渐取代金丝的趋势。本文使用EBSD取向成像技术分析铜丝键合不同工艺阶段(原始拉......
主要研究了应用于IGBT模块封装中的银烧结工艺和铜引线键合工艺,依据系列质量表征和评价方法,分别验证并优化了银烧结和铜引线键合......
PIN二极管是一种在微波,电力以及广电领域里广泛应用的半导体二极管器件。PIN二极管是由P型半导体和N型半导体以及中间夹杂一层本......
阐述铜线键合时铝焊盘下氧化物电介质破裂及键合导致芯片失效的原因和机理,针对这一问题,通过工艺优化增加顶层铝焊盘厚度和顶层铝......
由于Cu线热导率高、电性能好、成本低,将逐渐代替传统Au线应用于IC封装。但Cu线键合也存在Cu材料本身固有特性上的局限:易氧化、硬......
由于铝线键合逐渐不能满足如今功率模块功率密度、工作温度不断提升的可靠性要求,因此采用铜线代替铝线,以实现更高的可靠性工作寿......
摘要：主要介绍了低介电常数介质芯片层间介质层的分类，特别是对铜线键合过程中低介电常数介质层间介质断层方面的分析，以及铜线键合过......
相对于传统金线键合,铜线键合设备焊接过程工艺窗口更小,对焊接的一致性要求更高。通过对铜线键合工艺窗口的影响因素进行分析,探......
集成电路预镀框架铜线键合封装在实际应用中发现第二键合点失效,通过激光开封和横截面分析,键合失效与电化学腐蚀机理密切相关。通......
出于成本考虑，引线键合材料已逐步从金线转变为铜线。然而，由于铜线键合技术的可靠性并没有得到系统性评估，限制了其在汽车、工业以及......
半导体封装对于芯片来说是必须的,也是至关重要的。封装可以指安装半导体集成电路芯片用的外壳,它不仅起着保护芯片和增强导热性能......
对铜线键合的优缺点及分立器件的结构特点进行了具体分析。根据分析结果,并结合具体的实验,给出了键合工艺条件和工艺参数对分立器......
随着半导体技术向着轻薄化、高集成化和低成本化发展的趋势,传统封装产品价格下降趋势越来越大,因此目前大多数半导体封装制造企业......
本论文以铜线键合为研究对象,观察了键合界面微观界面特性,确定了键合界面化合物成分,分析了键合界面化合物形成机理,探索了铜线键......
近年来,由于金材料价格的不断提高,IC封装中铜线材料的使用越来越频繁。与金相比,铜化学性质更活泼而且硬度更大,这些性质上的差异......
瞬态电压抑制器(TVS),就是一种基于二极管形式的高效保护器件,用来保护电路中的敏感器件不受各种形式的瞬态高压冲击。随着5G高速......
铜线键合技术近年来发展迅速,超细间距引线键合是目前铜线键合的主要发展趋势。介绍了铜线键合的防氧化措施以及键合参数的优化,并......
引线键合技术是微电子封装中非常关键的一步,在传统的封装工艺中键合引线通常以金线为主。金线以其良好的导电性能、延展性和化学......
铜线键合工艺作为当前框架类集成电路封装降低成本的重要措施，但是，铜线带来的相关工艺调整和可靠性认证，以及客户的认证都是当前需要......
微电子封装包括晶圆切片、芯片粘接、引线键合、模料封盖等几个重要组成部分，而引线键合是将内部的芯片与外引线连接起来的重要步骤......
随着现代化科技和电子信息技术的飞速发展的需要,集成电路封装高密度、高强度、低成本等要求越来越高。起着芯片连通作用的引线键......
镀钯铜线(PdCu)是半导体封装中传统金线键合向铜线键合发展过程中出现的产物,与裸铜线(Bare Cu)键合相比,有着其特有的优劣势。本......
采用铜引线键合工艺生产的电子元器件在服役中会产生热,引起引线与金属化焊盘界面出现IMC(intermetallic compound,金属间化合物)......
研究背景有三:铜线和金线相比具有良好的电性能、机械性能和价格优势;传统键合的故障率占比为1/4到1/3;产线曾出现第一键合点铜球......
随着国际金价的不断攀升，金线封装的成本已经不能满足广大客户群的需求。因此新的替代材料铜自从2000年以来不断进入封装产业。加上......
近年来,随着45nm甚至是32nm技术节点的采用,芯片的结构日益复杂,IC器件性能的瓶颈已经不在于芯片制造,而在芯片制造随后的封装。在......
学位
随着电子封装技术不断深入的发展，电子制造行业在追求高密度、微型化封装的同时也在不断的向着低成本、低污染的方向发展。预镀框架......
