逸出深度相关论文
该文根据多碱光电阴极光学信息和光电流监控原理，给出了理论模型，研制了测试仪器，例举了测量结果，并对此作了简单分析。理论的多碱光电......
根据多碱光电阴极制备过程中的光谱响应在０．４～０．５μｍ之间光电流减少这一事实，分析了Ｃｓ处理多碱光电阴极的厚度。结果表明，经第一次ＣＳ处理，０．４μｍ处的光......
(一)引言作为现代科学一个重要方面的各种谱学方法,通常为物理学家所发现,并用来研究物质的某些基本性质。这时新方法常常并不引......
最近十年中,固体表面分析方法获得了迅速的发展,它是目前分析化学领域中最活跃的分支之一。它的发展与催化研究、材料科学和微型......
前言这几年俄歇电子能谱装置的普及是惊人的,即使在国内也有超过一百个装置正被应用于许多不同领域。它多数和半导体器件、钢铁材......
一、引 言 随着科学技术的发展,人类的观测范围从可见光扩展到红外、紫外和软X射线波段.例如,宇宙空间在在着大量紫外、X射线辐射......
本文介绍电子能谱非破坏表面组成深度分布的分析方法.在电子能谱实验中,当改变电子发射角(即起飞角)θ时,对于小角度θ值,表面检测......
本文介绍的是在穆斯鲍尔谱学中所使用的一些原理及实验技术。扼要地阐述此技术在无损检验中的应用情况,并强调指出此技术在相分析......
俄歇电子谱仪在表面物理的研究中几乎是必不可少的工具。现已广泛的应用于冶金、半导体工艺、化工、能源、医药等领域,成为质量检......
通过对光阴极膜层光学性能的测定和光电发射能力的测量,就能计算出它的光电子逸出深度和逸出几率。这两个参量代表着光电子在膜层......
俄歇电子谱（ＡＥＳ）在研究ｎｍ厚度表面层物质的主量和微量元素组成有广泛用途。ＡＥＳ可以观察到高放大倍率的表面组构和形貌，其极端表面灵敏度、极好......
测量了可见光和近红外区域半透明多碱金属光电阴极的反射率和透射率。由实测数据计算了半透明光电阴极层的厚度和光学常数。利用已......
1.绪言前篇已介绍了有关二次离子放射机构的几个模型,叙述了基于这些模型的定量分析法。本文作为前篇的继续,叙述定量分析的最正......
近年来,微道板作为一种高增益的电子倍增元件已成功地应用于各种象增强器中。这种微道板就是一束电子通道倍增器。通道的内表面是......
自1965年J。J Sheer和Laar发表文章报导负电子亲和势的理论和实验以来, 由于这种光电发射体具有灵敏度高,暗发射小、发射电子的能......
本讲座介绍表面分析技术中的一个重要分支——以离子作为探束的表面分析技术。对离子散射谱(ISS)和二次离子质谱(SIMS)作较详细的......
本文导出了半透明光电阴极的量子产额公式。光电阴极的量子产额可以用体积函数和表面函数来表示,当Na_2KSb光电阴极用铯(Cs)激活时......
从AES谱峰强度公式,我们导出了吸附层厚度和剥离速率表达式。并利用这些公式计算了A1样品表面吸附C和氧化铝层的厚度以及Ar~+束对......
本文从讨论半导体光电发射出发,提出了光电子能量损失速率的概念.运用所导出的理论公式,对实用锑碱光阴极的光电子逸出深度和逸出......
本文比较了正电子亲和势(PEA)和负电子亲和势(NEA)光电发射材料的特征.论述了多晶光电发射薄膜表面碎鳞场效应对电子亲和势的影响.......
本文概述了一、二、三代光阴极发展史,重点综述第三代光阴极-Ⅲ-Ⅴ族光阴极的研究概况,特别是长波InGaAsP光阴极发展动向。
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由于锑、钠、钾、铯型光电阴极所固有的性质,使得对这类光电阴极的研究变得十分复杂。事实上,光电阴极的化学剂量成分及其晶体结构......
该文利用辐射强度指数衰减率,多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式和光吸收系数公式,首次研究了多晶半导体三碱光电阴极的最佳厚度......
本文用多碱阴极量子产额谱研究了S_(20)与LEP的主要差别。阐述了如下几个问题:1.阴极厚度D是造成两者差别的主要原因。在n、k不随......
X线光电子谱(X-Ray Photoelectron Spectroscopy)分析法,它是和俄歇电子谱技术并行的研究固体表面的新方法。首先由瑞典Uppsala大......
介绍了金属Au和Al薄膜的制备方法,研究了其UV光电发射特性,并做了寿命实验,给出了在真空中以及放在大气中光电发射衰减的情况.指出......
本文用多碱阴极量子产额谱研究了S<sub>20</sub>与LEP的主要差别。阐述了如下几个问题:1.阴极厚度D是造成两者差别的主要原因。在n......
根据通常负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的能级特点，提出延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的理论设计，设计出......
根据金属二次电子发射的主要物理过程和有效真二次电子发射系数的定义,从理论上论述了高能原电子斜射入金属发射体内的金属的有效......
介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷......
