电阻开关效应相关论文
近年来，金属-绝缘体-金属（MIM）结构中发现的电场/电流导致的电阻开关效应（RS effect）引起了研究者的广泛关注。RS效应涉及强场下的电输......
近年来,电阻开关效应（Resistive switching effect）引起了人们的广泛关注。基于电阻开关效应的电阻型随机存储器（Resistive Random Ac......
基于电阻开关效应(RS effect)的电阻型随机存储器(RRAM)具有高速度、高密度、低功耗等优点，近年来引起了人们的广泛关注。在众多物......
近年来，电阻开关效应(RS effect)由于其在基础研究和电阻存储器(RRAM)应用方面的巨大价值，受到了人们的广泛关注。人们已经在多种材......
GeSe2是一种宽禁带半导体材料,其禁带宽度为2.7eV,是IVA-VIA族化合物家族中的重要成员。作为一种新型的多功能材料,GeSe2因其在光......
现今,存储器已经十分广泛地应用于各种电子产品中,并扮演着越来越重要的角色。随着电子技术与集成电路的飞速发展,人们对存储器的......
随着纳米技术的发展,出现了一系列应用前景广泛的半导体化合物材料。氧化锌（ZnO）属于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,是一种宽禁带直接带隙材料......
这篇论文主要包括两部分工作，第一部分(第一章到第四章)描述了大气下基于石英音叉的导电AFM的研发，第二部分(第五章到第八章)讨论导......
当物质的尺寸降到纳米量级时，纳米体系将会呈现出许多不同于宏观物体，也不同于单个孤立原子的奇异现象，例如巨磁阻效应，自旋扭矩效应，电......
2000年,美国休斯顿大学的科学家S. Q. Liu等人发现电脉冲触发可逆电阻转变效应,他们并提出RRAM(resistance random access memory)......
在电阻存储技术的快速发展中,电阻存储材料是其发展的关键基础。因此探索新型、高效、环保的电阻存储材料是推进电阻存储技术发展......
开发高速度、高密度、低功耗、非易失型的新型信息存储器已经成为信息存储领域主要研究方向。基于电阻开关效应的电阻随机存储器以......
近年来,电阻开关（RS）效应由于其重要的科学意义以及在电阻式随机存储器（RRAM）、新的计算机逻辑架构上的应用,已经引起了广泛的关注。众......
BiFeO3因其较大的漏导、多铁性难以表达等问题而限制它的实际应用。多元素掺杂BiFeO3薄膜能够有效降低泄漏电流,提高薄膜的铁电性......
集成光电子产业的发展，要求器件向微型化、集成化的方向发展，因此对薄膜材料的研究逐渐成为了研究热点。高质量的薄膜材料和器件的获......
尖晶石铁氧体MFe2O4(M=Fe、Co、Ni、Mn等)具有丰富多样的电学和磁学性质以及高居里温度等优点,成为磁(自旋)电子学的研究热点。对......
ZnO属于Ⅱ-Ⅵ族半导体，是一种宽禁带直接带隙材料。在室温下其激子结合能高达60meV，禁带宽度约为3.37eV，具有优异的光电性能，成为近十......
如今，存储器已经非常广泛地应用于各种电子产品中，并在我们的工作和生活中扮演着越来越重要的角色。随着电子技术与集成电路的飞速发......
