浅结工艺相关论文
建立了一种析出模型用来模拟硼在硅中的扩散现象,描述了硼原子与离子注入引起的Rp缺陷之间的相互作用,解释了非活性硼峰形成的原因......
针对纳米PMOS器件超浅结工艺面临的硼扩散问题,开展了预非晶化与激光退火和碳共注入结合的超浅结实验,通过透射式电子显微镜(TEM),......
Si中浅结经离子注入调整阈值后,除非在高温下退火,不然就显示漏电流增加。在超大规模集成电路技术中,高温处理是不合乎要求的。我......
溅射腐蚀又可称为逆溅射、反溅射,离子腐蚀、溅射清洗等,这一工艺可广泛地用于半导体、绝缘体和导体材料,特别适用于多层布线的集......
本文用背散射技术、霍尔效应和X光衍射法测量As离子注入多晶Si浅结工艺在制备D.I2902电路中的基本参数:As在多晶Si中的扩散系数、......
氧化物隔离等平面S(z)工艺采用全离子注入工艺代替原始的扩散工艺,使得整个工艺流程更为简化,对于浅结工艺的重复性和均匀性均有较......
研究了砷注入硅和砷通过SiO_2层注入硅的快速退火特性。给出了制备0.1—0.6μm的PN结最佳条件。用透射电子显微镜(TEM)观察了晶格......
