波长蓝移相关论文
为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同......
为了获得更好的量子阱混杂效果,深入探讨了不同Al组分的扩散阻挡层对无杂质空位诱导量子阱混杂的影响。首先在两种不同Al组分外延......
报道了使用SiO2 介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验 ,得到 2 0 0nm的最大带隙波长蓝移 .另外 ,采用量子阱......
研究了P型AIGaN电子势垒层对大功率Si衬底GaN基LED光电性能的影响。设计制作了三种不同材料结构的器件：(1)无P型AlGaN；(2)有P型AlGaN......
为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合，选用1～2MeV、1×1013～5×1013cm－2的P＋离子注入到InGaAs/InGaAsP分别限制多量子阱（SCH－MQW）激......
文章通过对旋涂与涂敷制成的两种纯染料聚合物薄膜的辐射光谱进行测试，观察到涂敷薄膜辐射的是自发辐射光谱，旋涂薄膜辐射的是一种类......
为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导，对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱(SCH-MQW)激光器结构进行了一系列带隙......
近年来，有机电发光器件已经有了很大进展，寿命也已突破万小时，尽管如此，如何更进一步提高发光效率仍是人们所关注的热点。通过与无机半......
报道了使用SiO2介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验，得到200nm的最大带隙波长蓝移．另外，采用量子阱混杂制作了......
对AlGaInAs多量子阱FP TO-56半导体激光器在不同环境温度、相同发热量下测量出光波长的变化来分析器件波长温度变化系数;并对器件......
