氮化钽薄膜相关论文
衰减器是微波测试系统中必不可少的功率控制与调整单元,随着微机电系统(MEMS)的诞生,推动了市场对集成化、小体积、高性能MEMS衰减器......
针对传统衰减器体积大、反应时间长、可靠性差等问题,提出了一种基于氮化钽薄膜电阻的MEMS衰减器.根据π型衰减网路理论计算得到各......
采用浸没式离子注入及沉积方法制备了3组不同的TaN薄膜,研究了制备过程中氧含量对薄膜性能的影响.研究表明,O含量对TaN薄膜的结构......
随着科技的迅速发展,微机电系统(MEMS)在生物、医学、环境保护、宇航、农业、工业和军事等领域得到了广泛应用。单晶硅具有诸多性......
本文介绍了利用磁控反应溅射的方法,找到与制备低温度系数、高稳定性、高精度氮化钽薄膜电阻器相关的氮分压、溅射电压及烘烤温度等......
微波功率匹配负载是微波器件与微波电路中的一类通用元件,可以广泛应用于通讯、雷达、探测等领域的无线电子器件及系统中。随着无......
随着集成电路工艺的发展,铜替代铝成为新一代的互连材料。为了防止铜扩散进硅器件中引起器件性能受损以及提高铜与硅、二氧化硅的粘......
介绍了一种新型的在钢铁基体上制备氮化钽薄膜的方法 --网状阴极法.其设备简单、价格低廉.实验中发现,在各个参数配比合适的条件下......
目前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE)宣布,推出通过QPLMIL—PRF-55342测试的新款表面贴装片式电阻——E/H(Ta2N)QPL,保证可靠性达到100p......
利用离子束辅助沉积(IBAD)技术制备TaN薄膜;掠入谢的X射线衍射和透射电镜观察结果显示,薄膜晶粒细小、结构致密,是面心立方结构。......
介绍了一种在钢铁基体上制备氮化钽薄膜的新方法--网状阴极法.其设备简单、价格低廉.实验中发现,在工艺参数调配合适的条件下,可制......
钽氮化物和钽碳化物电影用磁控管氮和碳跟随的钽劈啪作响被制作基于血浆的离子培植(N-PBII 和 C-PBII ) 。这些电影的阶段进化和形......
为了研制应用于超高温薄膜传感器的敏感层,采用直流磁控反应溅射,在硅基底上制备了氮化钽薄膜。研究了氮分压对薄膜微观结构和电阻......
在薄膜集成电路的制作工艺中,沉积电阻材料制作高精度、高稳定性的埋嵌薄膜电阻是一项关键技术,TaN由于具有良好的电阻范围和较高......