晶体生长过程相关论文
介绍了研究背景，可变化顶、侧功率比设计，可变化功率比和可移动隔热材料设计，总结研究背景可变化顶、侧功率比设计，前期功率比的确定，界......
我们作为起始的材料用 SnCl2 和 NaOH 为 SnO2 空 microspheres 和 nano 表的选择合成报导一条温和没有模板的热水的线路。由从水......
溶液晶体生长与溶液的过饱和度及浓度变化有关。用全息实时干涉法测定KDP晶体的浓度扩散层和晶面浓度,以观察浓度变化,这对培育优......
采用提拉法成功生长了大尺寸高质量的Ca4YO(BO3)3(YCOB)晶体,尺寸达到φ110×90 mm3,为目前文献所报道的最大尺寸。有效的解决了YC......
采用基于有限元方法的Comsol 4.3a软件,对有、无稳恒磁场作用时多晶硅定向凝固晶体生长过程进行了模拟分析。根据模拟结果,阐明了......
基于晶体生长过程中的自由能变化,提出了一个新的模型来模拟枝晶生长。在新模型中,晶体生长由固-液界面处的自由能差来驱动,采用CA......
利用耦合FACTSage Toxide热力学数据库的定量相场模型,本研究模拟了硅灰石(CaSiO_3)在CaO-Al_2O_3-SiO_2体系中的恒温晶体生长过程......
采用溶液沉淀法制备了部分水解的聚甲基丙烯酸甲酯(h-PMMA)/氢氧化钙(Ca(OH)2)复合物.采用X-射线衍射(XRD)、红外光谱(FTIR)、等离......
本研究通过高温实时观察系统可视化研究了钽铌酸钾晶体的熔化和生长过程中气泡的产生及其与界面的相互作用。研究发现气泡在熔化过......
为研制出满足惯性约束聚变(ICF)实验的氘氚(DT)冷冻靶,需要控制DT结晶生长过程,实现DT单晶生长,由此减少影响冰层均匀化及聚变实验......
利用电化学扫描隧道显微镜（ＥＣ－ＳＴＭ）初步研究了重掺锑硅（１１１）抛光片表面的微结构．多数硅晶片表面不同部位的ＳＴＭ形貌相表明，表面处理过程产生的微缺陷远......
晶体在溶解及生长过程中边界层的信息直接影响晶体生长速度和物质输运过程,进而影响晶体质量和生长机制。本文利用相移干涉技术建......
据日本(矿物学杂志》1981年第15卷第2号报道,于1982年4月13～16日,在西班牙首都马德里将召开关于在沉积环境下晶体生长过程的首届国......
采用了一种使用密封铂坩埚的 Bridgman—Stockbager 法制备 GdF_3、TbF_3、DyF_3、HoF_3和 ErF_3的单晶。又用 Czochralski 工艺也......
第四届晶体生长国际会议(ICCG-4)将于1974年3月24日—29日在日本东京召开。这次会议的目的是对该领域目前的初步研究进行报导和讨......
报道了诸如Nd:YAG等的高温氧化物晶体在使用Cz(Czochralski)方法晶体生长过程中温度场的数值模拟研究。在计算温度场的过程中引入......
本文建立了描述重掺Sb的si单晶生长过程中熔体内Sb浓度变化规律的数学模型。用该模型计算的理论曲线与实验曲线一致。结果表明,减......
尽管在世界上对金刚石矿物学已进行了大量的研究,但对金伯利岩中金刚石的形成、生长的机理问题,还需要作进一步探索。为此,我们对......
针对铝合金直接氮化生长ＡＩＮ过程中的晶体生长过程进行分析，通过Ｘ－ｒａｙ衍射和ＳＥＭ观察，获得了不同生长阶段ＡＩＮ晶体的生长特征，研究了铝合金直接氨化生长......
通过对含有不均匀生长项的KPZ方程进行动力学重整化群分析 ,研究了幂函数不均匀生长对KPZ方程标度行为的影响 .在实际的晶体生长过......
以乙酰丙酮铜醋酸锌氯化亚锡S粉为前驱体!通过热注入法合成制备出了Cu_2ZnSnS_4纳米颗粒(CATS)。此方法是指将低温溶液注入高温溶......
采用Nb2O5、NaOH和KOH为原料通过水热法合成出树状和针状铌酸钾钠纳米晶体,对反应条件对产物形貌的影响进行了讨论。X-射线衍射结......
对应用模拟退火方法来处理具有多参数性和非线性特点的地球物理问题时 ,温度参数和退火过程难以选取 ,需通过反复试验 ,不便于应用......
南京理工大学发明了一种温和的TATB合成方法在合成TATB工艺中,氨化反应是重要的一步。目前,工业批量制备TATB的氨化反应主要有两种......
凝固过程中的流体流动效应是现代凝固科学研究的热点,尤其是流动与凝固界面的耦合作用及流动对生长成的晶体质量的影响。作者自行......
在 Na_2O-1,6-C_6H_(16)N_2-SiO_2-H_2O 体系中合成了高硅 ZSM-48沸石。考察了碱量[(Na_2O/SiO_2)×10~2=1.76-7.50]、有机胺量、......
ＬＡＰ是一种新型的有机非线性光学晶体，由于其优异的性能，成为很有希望取代ＫＤＰ晶体，应用于激光核聚变反应的晶体。本文探讨了ＬＡＰ晶体溶液降温法生......
从理论上分析了ＹＢＣＯ晶体生长过程中造成成份偏析的一个主要因素即液相流失的成因及控制方法，并从实验上证明：合理地利用温度梯度能够有效......
活性炭对ＬＡＰ晶体生长过程中杂晶的抑制朱春城朱军郭慎满（哈尔滨工业大学应用化学系，哈尔滨１５０００１）ＲｅｓｔｒａｉｎｔｏｆＦｏｒｅｉｇｎＣｒｙｓｔａｌｓｂｙＡｃｔｉｖａｔｅｄＣａｂｏｎｄｕｒｉｎｇｔｈｅＣｏｕｒｓｅｏｆＬＡＰＧｒｏｗｔｈＺｈｕＣｈｕ...
Inhibition of Activated Carbon on Hyb......
钨酸铅（ＰｂＷＯ４）晶体在生长过程中由于缺氧产生了氧空位缺陷和Ｆｅ２＋杂质缺陷，使晶体着色，光学性能下降。在晶体生长过程中掺进Ｓｂ２Ｏ３，能消除氧空位，将Ｆｅ２＋氧化为......
ＰＭＮＰＴ晶体的结晶基元与生长机理罗豪沈关顺齐振一许桂生王评初乐秀宏李金龙仲维卓殷之文（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０１８００）ＧｒｏｗｔｈＵｎｉｔｓａｎｄＧｒｏｗｔｈＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＰＭＮＰＴＣｒｙｓｔａｌｓＬｕｏＨａｏｓｕＳｈｅｎＧ.........
应用ＭａｃｈＺｅｈｎｄｅｒ干涉法原位实时观察了ａＬｉＩＯ３的晶体生长过程。以ＨｅＮｅ激光为光源，用阿贝折射仪测定了碘酸锂过饱和溶液的折射率。ＭａｃｈＺｅｈｎｄｅｒ干涉条纹的图像数......
基于对ACRT－B法晶体生长时对流及传质特性的认识，提出了ACRT－B法晶体生长过程的一维传质模型得到了包括初始过渡区、稳态区及终端过渡......
在用引上法生长的ＹｂＹＡＧ晶体中，存在一个独特的色心，其吸收带位于３７５ｎｍ和６２５ｎｍ，随着Ｙｂ２Ｏ３掺杂浓度的增加，色心浓度增加。探讨了晶体生长过程中色心形成机理。......
本文开发了一种基于边界保角变换技术的有限元方法来研究熔体法石榴石晶体生长过程中界面动力学的影响。建立了一个可导致界面上小......
本文对不同环境条件时Bridgman法晶体生长过程进行计算,并对不同条件对生长过程的影响加以讨论。较大的温度梯度、较大的换热系数......
本文讨论了晶体表面结构和负离子配位多面体结晶方位的关系。指出了晶体表面结构 ,显示了负离子配位多面体在晶体生长过程中的结晶......
本文通过分析光学材料中光谱与温度之间的关系证实了晶体生长过程中的相变团簇模型,认为晶体内部热辐射流是引起固-液界边界层温度......
考虑了熔体中生长晶体表面各不同温度处的热辐射的交换和气体的对流,通过计算解决了从熔体中生长的晶体的热传递问题。在真空中生......
为前视红外系统发展了200元光导阵列。制作这种阵列时,要严格控制晶体生长过程中的热流,掺铟控制裁流子浓度。由50元的片子拼接而......
碲镉汞(Hg_(1-x) Cd_x Te)三元化合物是一种禁带宽度可变的材料。它适合制备2～12微米光谱范围的光伏型红外探测器。向着研制出一种......
