掺杂比相关论文
采用球磨法制备了Tm2O3掺杂TiO2光催化剂,并以300W中压汞灯为光源,亚甲基蓝溶液为模拟染料废水,对Tm/TiO2的掺杂比进行了研究,并用......
以NaYF4材料为基质的上转换纳米颗粒(UCNPs)是最早报道的、应用范围最广的上转换材料之一.掺杂了稀土离子的颗粒不但可以在不同激......
采用正交试验法对AZO@TiO_2导电晶须的制备工艺进行了优化。通过改变包覆比(Ti/Zn)、掺杂比(Al/Zn)、pH值、煅烧温度4大因素,结合......
期刊
本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备高电导率、高晶化率的P 型大 面积微晶硅材料。研究了硼掺杂比、硅烷浓......
研究了在MgBz超导体中，Al、C以及这两种元素共同掺杂时对样品的超导转变温度、不可逆场、以及临界电流的影响。研究发现，当掺杂电子......
用PCVD工艺及后处理技术可制备质量优良、晶粒大的多晶硅薄膜。磷掺杂的n型多晶硅薄膜，电导率高达0．7（Ω·cm），平均晶粒尺寸大于300nm，晶......
以钛本丁酯和氯化钇为原料，采用溶胶－凝胶法研究了Y掺杂TiO光催化活性的影响，通过红外光谱(IR)分析了TiO复合粒子的结构，结果表明：Y掺杂......
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该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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利用脉冲激光法制备了ZnO :Al透明导电膜 .通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )......
黑木耳因其营养丰富、药用价值高而素有盛名，是家喻户晓的优良干菜。但近年来，黑木耳掺杂使假现象相当严重，掺杂使假率高达50—80％，掺杂......
用传统常压固相烧结法,制备掺杂氧化镁的氧化锌陶瓷靶材,研究不同MgO含量及烧结温度对MgxZn1-xO陶瓷靶材的微观结构、力学性能、致......
关于取消水泥复合32.5强度等级一事持续了很长时间，在行业内也有多方面争议和探讨。对此，我也有一些思考。 凡事都有两面性。就取消......
利用脉冲激光法制备了ＺｎＯ：Ａｌ透明导电膜，通过对膜进行霍尔系数测量及ＳＥＭ、ＸＲＤ测试分析，详细研究了靶材中的化学配比（掺杂比）对膜的透射比和电阻率的......
本文采用PECVD法制备硼掺杂纳米非晶硅薄膜（na-Si：H），系统研究了掺杂气体比（B2H6／SiH4）、衬底温度Ts、RF电源功率对薄膜电学性能的影响。......
采用射频磁控溅射技术，以不同Eu、Mg掺杂比的ZnO／MgO／Eu203陶瓷靶材，制备了Eu、Mg共掺的ZnO薄膜（ZMEO）。通过x射线衍射（XRD）、Raman散射及......
采用水热法制备锡锑氧化物(ATO)纳米粉,利用XRD方法研究不同Sb-Sn掺杂比及热处理温度对ATO结构和电性能的影响.实验结果显示:掺杂......
对基于超声喷雾热分解工艺制备400min×400mm大面积太阳电池TCO膜和制备大面积SnO2：F薄膜工艺作了研究，包括温度、掺杂比、酒精......
利用脉冲激光法制备了ＺｎＯ：Ａｌ透明导电膜。通过膜进行霍尔系数测量及ＳＥＭ、ＸＲＤ测试分析，详细研究了靶材中的化学配比（掺杂比）对膜的透光率和电阻率的......
本文通过等离子体增强化学气相沉积（PFCVD）法沉积p型纳米非晶硅薄膜（na-Si：H），系统地研究了掺杂气体比（B2H6/SiH4）、沉积温度、射频电源功......
近些年来,顶发光OLED器件以其独特的优良性质,在未来大尺寸全彩色显示器以及高效照明设备的商业化中极具潜力。但是,顶发射器件的......
用等离子体增强化学气相沉积法制备了厚为1 μm左右的B轻掺杂a-Si∶H光电导层，得到了a-Si∶H的暗电导率与淀积工艺参数和B掺杂比关......
用脉冲激光法制备了ＺｎＯ：Ａｌ透明导电膜。通过对脉的霍尔系数测量及ＳＥＭ、ＸＲＤ分析，详细研究了靶材中的化学配比（掺杂比）对膜的透光率和电阻率的影响。......
采用水热法制备锑锡氧化物(ATO)粉体,运用差热–热重分析(DTA-TGA)、X射线衍射(XRD)等测试手段对粉体进行了表征.研究了掺杂比、热......
用ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜经退火晶化成的多晶硅薄膜，其晶化温度、晶粒尺寸的电性能薄膜的初始结构有密切关系，而ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的切初结构依赖于沉积条件，用ＰＣＶＤ方法高......
拟采用界面氧化聚合法制备聚吡咯膜,通过实验发现反应的最佳溶剂为三氯甲烷,最佳的氧化剂为过硫酸铵。当聚吡咯于过硫酸铵反应浓度......
