局部平整度相关论文
１９９５～２０１０年ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ对原始硅材料的要求１９９５０３５μｍ１９９８０２５μｍ２００１０１８μｍ２００４０１３μｍ２００７０１０μｍ２０１０００７μｍ晶片直径（ｍｍ）（Ａ）２００２００３００３００４００４００规格参数（在９５...
1995 ~ 2010 VLSI / ULSI requirements of the original ......
在微电子生产进入深亚微米和纳米技术之后，空白硅晶圆材料正在承担起前所未有的角色来协助解决生产工艺和产品成本等关键问题。根据......
NIPCO(NIP CONTROL的缩写,即辊缝控制)系统的基本元件是液压控制的NIPCO辊,在四重轧机上它取代传统的支承辊;在二个辊的滚光机上......
采用传统的基于线性高程晕渲方法重建的三维路面,对于较平整的路段,显示的路面效果比较夸张,而对于路面质量较差的路段,在显示坑槽......
国际上集成电路制造已经使用300mm硅片,实现特征线宽45nm的生产技术,但对国内材料厂家而言,能够大批量生产的最大直径硅片仅有150m......
随着汽车电子,消费电子和物联网市场等多样化芯片需求的快速增长,200mm硅片在半导体市场中有相当高的占有率。随着集成电路特征线......
抛光后的局部平整度(SFQR)参数是表征硅片抛光质量的重要指标之一,也是抛光过程较难优化的几何参数之一。分析了不同的化学腐蚀处......
砷化镓双面抛光片的平整度不仅影响光刻过程中的对焦精度,而且双抛过程中的边缘过抛现象,即砷化镓晶片边缘去除速率增加,使得在后......
结合重庆市水泥混凝土路面错台病害评价标准确定实例提出了一种基于路面行驶质量水平的错台量分级方法.首先选择2个典型的水泥混凝......
随着半导体集成电路的发展,硅片的直径逐渐增大。虽然小直径硅片仍采用单面抛光加工,但为追求较好的抛光质量,双面抛光已逐渐成为......
在直径300mm Si片制备过程中,利用双面磨削技术能获得高精度的表面参数,但同时却会在Si片表面留下明显的磨削印痕,这会影响Si片表......
