四探针相关论文
氮化镓是一种第三代半导体材料,具有禁带宽度大,击穿场强高,电子迁移率高以及散热性好的特性,目前在商业上已经被广泛应用在射频功......
近日,由中国科学院山西煤炭化学研究所主导制定的纳米材料领域国家标准GB/T40007—2021《纳米技术纳米材料电阻率的接触式测量方法......
根据有限厚度样品体电阻率和薄层电阻两种测试方法间的厚度修正系数的相关性，论证了其边缘效应修正系数具有一一对应的严格的相等性......
利用四探针方法系统地研究了ＫＴ－５Ｃ托卡马克边缘等离了体的湍流性质。实验结果指出，在限制器内０．５ｃｍ处，有一自然产生的径向电场剪切层。由Ｅｒ×Ｂ引起......
研究了在纳米厚度范围内，Ni—Al薄膜的电阻率与表面粗糙度的关系。利用直流磁控溅射方法，使用高纯度(99.99％)的Ni和A1靶，通入Ar气制备......
Helicon离子源能够产生密度高而均匀的等离子体的特性，在离子源技术，等离子体物理研究以及航空推进器等方面有着广泛的应用。本文完......
为了能准确简便地确定应变SiGe材料的掺杂浓度,本文在研究应变SiGe材料迁移率模型的基础上,采用MATLAB编程模拟仿真,求解并建立了......
本文采用四探针探测技术测量了坡莫合金薄膜的电阻和磁电阻,以探讨在晶体生长中基片温度对坡莫合金薄膜磁电阻的影响.......
通过不同实验方案,得到一种新型有效的锂电池电极浆料电阻测试方法.此方法的特点在于测试过程安全且可以快速得到电极浆料的阻值,......
通常用排列呈直线的四探针测量各向同性薄膜，但此方法不能直接用于测量具有各向异性的磁电阻簿膜，研究人员选择了呈矩形排列的四探针......
以四探针薄层电阻测试为主要手段，研究了Ｃｏ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｓｉ、Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ不同结构经快速热退火（ＲＴＡ）技术形成的ＣｏＳｉ〈，２〉的高温热稳定性，尝试了形成具有良好的高温稳定性......
在分析研究Si1 -xGex 材料多子迁移率模型的基础上 ,建立了Si1 -xGex 材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图 .同时......
采用四探针与C－V两种测试仪器，对同一参数的外延片电阻率进行测试，测试结果表明，用四探测针试外延陪片和C－V测试处延片，测得的外延电阻率......
对四探针测试半导体薄层电阻中二维电流场的电势分布采用有限元法（ＦＥＭ）数值计算，并提出了计算模型。对几种常用的测试结构进行计算其电势......
介绍了一种磁电阻测量方法,采用直流稳压电源、电脑x-Y记录仪、电磁铁和温度装置,通过测量电路中串入标准电阻R1两端的电压,计算出......
为了便于测试导电聚合物在变温、变压条件下的电阻率，更好地满足高分子物理实验教学和科研需要，设计制作了塑料封装四探针、金属／陶瓷......
介绍了Rymaszewski四探针法测薄膜方块电阻原理,设计并搭建了可测室温到550℃的四探针测试仪.该系统可在保护气体下变温测量薄层电......
为了适应半导体生产工艺发展的要求，我们开发了一种利用改进的Rymaszewski法进行四探针硅片电阻率测量的单片机电路。它主要包括恒......
在双台面SiGe HBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区......
在四探针测试半导体薄层电阻的有限元（ＦＥＭ）理论中，四根探针在样品上的位置靠键盘输输入有限元剖分节点示号来给定，当测试样品的形状较为复......
设计一个新的近代物理实验题目.利用阳极氧化法对半导体材料逐次去层，采用四探针法测量其每层的电阻率及相应杂质浓度，可得出半导体......
介绍一种实用的导电聚合物薄膜电阻率测量系统。电阻率的测量原理基于四探针法与比率测量法，以低值恒压激励代替恒流激励，使2种方法......
介绍了用有限元方法计算半导体方块电阻四探针测试中二维点电流势场的模型并且证明了其正确性，由于有限元方法对边界没有限制，该方法......
在分析研究Sil-xGex材料多子迁移率模型的基础上，建立了Sil-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图．同时，通过对半......
四探针电阻率测量仪广泛应用于半导体行业,是测量半导体材料电阻率的常用设备。本文针对不同样品测量时应注意的测量条件、适用的......
研究四种四硫富瓦烯镍的衍生物，通过循环伏安法和变温四探针法对其电化学性质进行了研究，发现它们都是半导体．......
介绍了用镜式检流计测量金属薄板电导率的四探针测量方法。这一方法是应用恒定电场理论，通过无限大金属薄板上的电流馈入点，测定任意......
在对Si1-xGex材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱.经过对半导体材料掺杂......
本文对四探针测试半导体薄层电阻关于边缘修正计算的各种理论及方法做了总结,重点描述了一种有限元法(FEM)。这种方法对任意形状的......
半导体产业是现代信息产业的基础,晶圆掺杂的均匀性直接关系到信息产业尤其是集成电路的质量。而方块电阻是表征晶圆掺杂均匀性的......
介绍了对HL-2A装置中平面边缘等离子体的单探针测量.单探针是安装在可径向移动、并可绕轴旋转360°的传动杆上的.在1MHz的快速......
利用四探针方法系统地研究了ＫＴ－５Ｃ托卡马克边缘等离子体的湍流性质。实验结果指出，在限制器内０．５ｃｍ处，有一自然产生的径向电场剪切层，由Ｅｒ×Ｂ引......
本文提出一种用直线四探针头测量金属-半导体欧姆接触接触电阻率的简捷方法.导出了适用于薄层半导体材料的接触电阻率表达式,经实......
本文讨论了平面四探针测试结构的设计及在测量硅单晶电阻率时应注意之处。测量结果与自制的正方阵列机械四探针及其他单位所用的直......
影响半导器件生产的的因素有很多,而硅单晶电阻率不均匀性就是众多衡量硅材料质量参数中的一个。电阻率对后道加工器件的稳定和重......
以16位单片机SPCE061A为控制核心,并采用内带程控放大器和片上数字滤波器的16位Σ-Δ型模数转换器AD7705,设计了一款智能四探针电......
随着新材料的研制和开发,对材料电阻率的测量显得日益重要,目前国内微电子工业中多采用直线阵列等间距四探针作为测量常温下材料电......
通过测量不同光刻条件下制作的ITO电极的方块电阻，提供了一种利用方块电阻测量值来衡量有机太阳电池ITO电极质量的方法。对于笔者所......
首先根据四探针测试理论，阐述了恒流源电路在四探针测试仪中的重要性．给出了对恒流源的基本要求。然后介绍了我们在开发前期实验过的......
采用国标GB3048.3—83和自制的直线型四探针电阻率测量仪对导电丁腈橡胶进行了测量比较。结果表明,四探针方法适用于有机导电材料......
四探针法是材料学及半导体行业电学表征的常用方法。随着微电子器件尺度持续减小,新型纳米材料研究不断深入,须将探针间距控制到亚......
介绍了用镜式检流计测量金属薄板电导率的四探针测量方法．这一方法是应用恒定电场理论；通过无限大金属薄板上的电流馈入点，测定任意点......
四探针测量金属薄膜电阻率是当今微电子技术领域中常用的方法.本文介绍了如何把"四探针测量金属薄膜电阻率"的实验引入到普通物理......
四探针技术是测量半导体电阻率的专用测量手段,已经有几十年的历史。它不仅包括丰富的理论,而且已经在半导体生产工艺中获得了广泛......
学位
随着微电子行业日新月异的发展，对半导体材料的研究越来越深入，对其性能参数的测量要求也越来越高。电阻率是半导体材料的重要参数之......
