反型层电荷相关论文
随着MOSFET的不断缩小特征尺寸逐渐逼进其物理极限,器件尺寸的进一步缩小面临一系列的困难.为了解决这些面临的问题,一个重要的手......
从载流子在 MOS结构反型层内的分布出发 ,利用表面有效态密度 ( SLEDOS:SurfaceLayer Effective Density- of- States)的概念 ,在......
从载流子在 MOS结构反型层内的经典分布和量子化后的子带结构出发 ,提出了经典的和量子化的表面有效态密度 (SL EDOS:Surface laye......
通过引进基态施主能级分裂因素,对SiC基p-MOSFET的反型层电荷模型进行了改进。经计算发现,在考虑到能级分裂后反型层电荷面密度降低,......
从载流子在MOS结构反型层内的经典分布和量子化后的子带结构出发,提出了经典的和量子化的表面有效态密度(SLEDOS:Surface layer effective density-of-states)的概念。利用表面有效态......
通过在UTB结构中利用矩形势垒近似求解沟道的薛定谔方程,应用费米统计建立了UTBMOSFET阈值区载流子量子化的一个解析模型。并利用自......
SiC以其优异的材料特性,在高温、大功率和抗辐射器件电子学应用方面显示出明显的优势。另外,在化合物半导体中唯有SiC存在本征氧化......
在一定输出电流及光照条件下,数值求解半导体器件基本方程,获得输出电压和反型层电荷面密度等参数。结果表明,反型层电荷与工作状态有......