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通过引进基态施主能级分裂因素，对SiC基p-MOSFET的反型层电荷模型进行了改进。经计算发现，在考虑到能级分裂后反型层电荷面密度降低，并且能级分裂的影响随栅电压绝对值的增加而减弱。在阈值电压处，能级分裂对反型层电荷的影响随掺杂浓度的增加而增强，随温度的提高而减弱，同时也与杂质能级深度相关。在能级分裂影响下阈值电压的绝对值增加，不过增量较小。