双栅MOSFET相关论文
本文提出一种完全不同的基于载流子方法的双栅MOSFET解析模型。针对无掺杂对称双栅MOSFET结构，该模型由求解泊松方程的载流子分布和......
描述了一种用综合性方法设计的亚 5 0 nm自对准双栅 MOSFET,该结构能够在改进的主流 CMOS技术上实现 .在这种方法下 ,由于各种因素......
推导了双栅MOSFET器件在深度方向上薛定谔方程的解析解以求得电子密度和阈电压.该解析解考虑了任意深度情况下沟道中深度方向上电......
通过求解Poisson方程自洽地得到了表面电势随沟道电压的变化关系,从而推出了非掺杂对称双栅MOSFET的一个基于表面势的模型.通过Pao......
双栅MOSFET是一种新型的高速度、低功耗MOS器件.与体硅MOSFET相比,双栅MOSFET具有众多优点:如优良的亚阈值特性、较高的等效载流子......
双栅MOSFET是一种非常有发展前途的新型器件,它具有跨导高、亚阈值特性优异、短沟道特性好等优点.自对准的双栅MOSFET结构中,栅与......
在双栅纳米MOSFET中,输运参数对器件输运机制描述至关重要。文章主要对纳米双栅MOSFET输运的背散射系数进行研究,分别得到了器件在......
基于是荷分享原理，推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降，分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电......
使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟，对比了双栅和三栅的I-V特性，发现三栅的特性要优于双栅；减小F......
推导了双栅MOSFET器件在深度方向上薛定谔方程的解析解以求得电子密度和阈电压．该解析解考虑了任意深度情况下沟道中深度方向上电势......
不断缩小半导体器件尺寸将引起二氧化硅绝缘层厚度逐渐地减薄，从而导致从栅极泄漏到衬底的栅极漏电流的明显增加，这制约了MOSFET性能......
重点介绍器件进入纳米尺度后出现的 MOSFET/SOI器件的新结构,如超薄 SOI器件、双栅 MOSFET、 FinFET和应变沟道等 SOI器件,并对它......
进入超深亚微米领域以后,传统CMOS器件遇到了器件物理、工艺技术等方面难以逾越的障碍.普遍认为,必须引入新结构和新材料来延长摩......
安捷伦科技公司（NYSE：A）日前宣布推出支持安捷伦先进设计系统（ADS）的恩智浦半导体公司（NXP Semiconductors）的射频小信号产品设计套件。该......
不断缩小半导体器件尺寸将引起二氧化硅绝缘层厚度逐渐地减薄,从而导致从栅极泄漏到衬底的栅极漏电流的明显增加,这制约了MOSFET性......
目前,半导体产业正在经历着巨大的变革,半导体器件的结构不在仅仅局限于传统的平面结构,而是向着三维立体化的新型器件结构发展。......
随着集成电路(IC)工艺特征尺寸进入纳米量级，传统平面金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的应用面临诸多挑战。在各种新型半导体器件......
随着半导体技术的发展,常规二维金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的特征尺寸已接近物理极限,并出现了许多非理想效应。而新型多栅......
随着金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)尺寸的不断缩小，当器件尺寸缩小至纳米尺度时，量子力学效应开始凸显并且显著改变了器......
在摩尔定律的指导下,集成电路半导体器件的尺寸越来越小,但是不能无限缩小。在缩小到一定程度将达到它的物理极限,严重的短沟道效......
