原子层外延相关论文
原子层外延生长(ALE)最初被设想为生长半导体化合物的一种方法,生长层具有大面积的非凡均匀性,层面厚度能被精确控制。当应用于金......
研究了利用电化学原子层外延法(electrochemical atomic layer epitaxy,ECALE)在Pt电极上生长Sb2Te3化合物半导体薄膜热电材料的过......
采用ＣＶＤ技术实现了Ａｌ２Ｏ３薄膜的数字化生长，实验结果表明这种生长方法具有生长温度低、层厚可控等特点，生长出的薄膜每周期生长厚度约为１．１９。
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阐述了一种外延沉积化合物半导体的新方法———电化学原子层外延（ＥＣＡＬＥ），并对其基础欠电势沉积（ＵＰＤ）进行了讨论．着重研究了Ⅱ、Ⅳ族元素Ｃｄ、Ｔｅ的电......
引言在近代光电子学研究与生产中,需要制备各种非晶或单晶薄膜,通常使用的工艺方法有蒸发(电阻蒸发,电子束蒸发,激光蒸发,反应蒸......
第十三届国际GaAs及有关化合物会议于1986年9月28日至10月1日在美国内华达州拉斯纬加斯市举行。会议由美国空军科学研究所等单位......
原子层外延(ALE)技术以其单原子层构置和精确控制层厚的特点一直吸引着人们的注意力,成为目前可与MQCVD和MBE等制备超晶格材料技......
近年来,虽然有越来越多的研究者在努力寻找适合外延Hg_(1-∞)Cd_∞Te(简写MCT)的衬底材料,然而,由于CdTe晶体和MCT都是闪锌矿结构......
本文介绍了 ALE 的生长模型以及它与一般 VPE (包括 MOCVD)、MBE 技术的根本区别。ALE 已成功地用于生长 TeCd、CdMnTe、GaAs、In......
近十年来发展起来的原子层外延技术(ALE)实际上是对现有气相外延技术(蒸发、沉积、分子束外延、氯化物外延和MOCVL))的一种改进.它......
据日本《O Plus E》1992年第151期报道,日本新技术事业团的寸力午量子波计划公司用原子层外延法(ALE)已制成线宽0.01μm以下的量子......
本文概述了Ⅲ-Ⅴ族化合物原子层外延(ALE),重点介绍了脉冲喷射(PJ)-ALF、氯化物-ALE和增强迁移外延(MEE)。ALE生长层厚度对生长参......
应用原子层外延与分子层外延的理论来研究Turbo-Disk MOCVD外延生长过程,发现这是一些分子式生长,主要发生在衬底表面的台阶处,是......
应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo-Disk MOCVD外延生长过程,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处,当通过控制生长参数......
原子层外延(ALE)是金属有机化合物气相外延生长的一种方式。用这种方法并用单层沉积工艺实现了自限单层超薄外延层的均匀生长。本......
前言薄膜EL显示器件的显示质量高、性能可靠,在平板显示应用中正引人注目。目前ZnS:Mn橙黄色显示业已付诸实际应用。ZnS:Mn发光层......
介绍了用于外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜的原子层外延（ALE）的国内外进展。以GaAs为例，讨论了ALE生长Ⅲ-Ⅴ族化合物的表面反应机理。GaAs......
本文以实验结果为基础,根据 ALE GaAs 生长过程中的自限特性和 Langmiur 单层吸附模型,计算了在 TMGa 暴露周期各化学物种的气相分......
介绍了一种外延沉积化合物半导体材料的新方法－电化学原子层外延技术，它将电化学沉积技术与原子层外延技术结合起来，通过运用欠电热技......
本文概述了Ⅲ-Ⅴ族化合物原子层外延(ALE),重点介绍了脉冲喷射(PJ)-ALF、氯化物-ALE和增强迁移外延(MEE)。ALE生长层厚度对生长参......
以GaAs（100）为衬底，采用原子层外延（ALE）的方法在GaAs缓冲层和常规InSb外延层间引入85个周期约30nm的InSb低温缓冲层，以快速降低InSb和Ga......
在传统的二步MOCVD外延生长的基础上,报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长GaN材料的新方法,它在生长低温缓冲层前,用原子层的方......
综述了原子层外延(ALE)技术的现状及其发展趋势。研究了晶体生长的程序设计和实验装置、生长的动力学模型及反应机制。对ALE薄膜的......
由于现代外延生长技术的不断完善，使异质结器件、量子阱与超晶格材料的生长与应用得到迅速发展．本文概述了目前半导体材料与器件研究......
激光诱导原子层加工技术是近两年提出的新兴微细加工技术，本文对激光诱导原子层外延生长、原子层刻蚀、原子层掺杂等主要技术及其对......
电化学原子层外延(ECALE)是电化学沉积和原子层外延技术的结合,通过运用欠电势技术交替电化学沉积化合物的组成元素一次一个原子层......
