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在传统的二步MOCVD外延生长的基础上,报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长GaN材料的新方法,它在生长低温缓冲层前,用原子层的方法生长一层高质量的AlN层来减少Al2O3与GaN缓冲层之间的应力以提高缓冲层的质量,从而提高外延层GaN的质量,达到器件制作的要求.
利用三步法MOCVD生长器件质量的GaN
【摘 要】
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在传统的二步MOCVD外延生长的基础上,报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长GaN材料的新方法,它在生长低温缓冲层前,用原子层的方法生长一层高质量的AlN层来减少Al2O3与GaN
【机 构】
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厦门大学物理系
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2001年6期
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