光伏谱相关论文
在18～300K温度之内,测量了GaAs/AlA_3超晶格在不同温度下的光伏谱,采用Kronig-Penney模型的新形式计算了势阱中导带子带和价带子带......
在18～300K 度范围内测量了 GaAs/AlGaAs 超晶格和 Ge_xSi_(1-x)/Si 应变层超晶格在不同温度下的光伏谱。在200K 以下,在 GaAs/AlGaA......
该文研究了立方相pn结GaN的光伏效应，通过比较pn结GaN和n-GaN的光伏谱，提出了利用光伏曲线极性来判断P型GaN的方法。......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
根据所建立的半绝缘（SI)GaAs的禁带宽度Egг公式，利用表面光伏（SPV）方法的测量结果，计算了室温下5种样品的EgP值，并对其中之一进行了21-3......
采用我们自己建立的微机控制光伏谱自动测量系统,测量了 P-Al<sub>0.35</sub>Ga<sub>0.65</sub>As/n-GaAs 异质结在不同温度下的光......
在18～300K 度范围内测量了 GaAs/AlGaAs 超晶格和 Ge_xSi_(1-x)/Si 应变层超晶格在不同温度下的光伏谱。在200K 以下,在 GaAs/AlGaA......
测量了不同电腐蚀条件下制备的多孔硅／硅光伏 ，推导了带隙参数的计算公式，表面光伏谱测量计算值与光致发光的实验结果基本一致。......
采用表面光伏谱方法，测量了应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱在不同温度下光伏效应。结合理论计算对样品表面光伏谱的谱峰进行了指认，分析了量子阱内子能......
本文应用等光强方法,在0.75μm至带边的波段内对无掺杂的n型InP单晶(n_0=2×10~(16)cm~(-3))分别测量了298K、77.4K、50K、20K......
提出一种测量半导体深能级的新方法——双光束瞬态光伏谱.与目前测量深能级通常采用的方法DLTS相比,具有两个突出的优点,对被测样......
实验得到不同温度下应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱的光伏谱，通过理论计算与实验结果的比较，对各谱峰进行了指认。本文着重考察各样品中１１Ｈ跃迁的激子谱峰的......
测量以GaAs为衬底的Zn1-xCdxSe/ZnSe应变层多量子阱在不同温度下(18～300K)的光伏谱,研究Zn1-xCdxSe/ZnSe多量子阱的光伏效应和带间......
在18～300K温度之内,测量了GaAs/AlA<sub>3</sub>超晶格在不同温度下的光伏谱,采用Kronig-Penney模型的新形式计算了势阱中导带子带......
报道了由计算机，扫描控制器，光栅单色仪和锁定放大器组成的光伏谱自动测量系统的结构，联机方法和工作流程。与手动光伏测量系统相比，可......
提出超晶格(AlAs/GaAs)和应变超晶格(Ge．Sii-x/Si，In．Ga1-xAs/GaAs)光伏效应的机理，测量了不同温度下的光伏谱，光伏曲线反映了台阶二维......
用光伏谱方法研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱结构中各子能级间的光跃迁，并与理论计算的结果进行了比较，分析了光伏谱峰能量随阱宽与温度的变化，并讨......
首次报道了GaAs/Al0.35Ga0.65As/GaAs（50（?）/40（?）/100（?））非对称耦合双阱P-I-N结构的室温光伏谱,清楚地观察到双阱的轻、重空穴激子峰,这......
