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根据所建立的半绝缘（SI)GaAs的禁带宽度Egг公式，利用表面光伏（SPV）方法的测量结果，计算了室温下5种样品的EgP值，并对其中之一进行了21-300K温度范围的Egг计算，确认了SPV方法对研究SI-GaAs禁带宽度的可行性。
用表达光伏方法研究半绝缘GaAs的禁带宽度
【摘 要】
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根据所建立的半绝缘（SI)GaAs的禁带宽度Egг公式，利用表面光伏（SPV）方法的测量结果，计算了室温下5种样品的EgP值，并对其中之一进行了21-300K温度范围的Egг计算，确认了SPV方法对研究
【机 构】
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福州大学信息科学与技术学院,厦门大学物理系
【出 处】
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福州大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2003年2期
【基金项目】
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福建省教育厅科研资助项目 (JB0 10 16 )
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