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随着集成电路复杂度的提高以及半导体制造工艺水平的不断发展,硅通孔（Through Silicon Via）TSV技术成为三维集成电路的一种主流互连技术,建立单个TSV的三维物理模型,通过回波损耗来分析不同物理参数和尺寸变化对信号传输性能的影响;利用硅通孔的参数提取模型对其进行RLC参数的提取,并建立等效的电路模型和故障电路模型.扫描频率在10GHz范围内,利用故障电路末端电压来分析故障的大小,同时通过最小二乘法拟合一条根植电压曲线来判断故障大小.