硅通孔相关论文
微系统技术是未来航空航天领域重点研究方向，硅通孔（Through Silicon Via, TSV）技术是其关键技术之一。目前，普遍采用单因素研究TSV多......
全球网络流量急速增长，数据传输所需带宽和能源消耗也随之快速增加，传统电子信息互联架构已无法满足日益增长的带宽和节约能耗的需求......
为了降低三维集成微系统热应力，本文设计了一种基于锡铅银合金作为TSV的填充金属、 LTCC为基底的TSV芯片结构.基于此结构设计了4种......
系统级封装（Si P）及微系统技术能够在有限空间内实现更高密度、更多功能集成，是满足宇航、武器装备等高端领域电子器件小型化、高性能......
电感是集成电路当中应用最为广泛的无源器件之一,硅通孔（Through-Silicon Via,TSV）技术作为三维集成电路（Three-Dimensional Interagt......
在基于硅通孔（TSV）三维高密度集成技术中,晶圆减薄是关键工艺技术之一,减薄过程中面临更多未知的界面和表面问题,如表面微裂纹、界面......
随着半导体技术的不断扩展,互连延迟和功耗等限制了工艺尺寸的进一步缩放。为了打破这些瓶颈,业界和研究机构正在探索三维集成,例......
采用有限元模拟法研究三维集成电路集成中硅通孔结构在热循环载荷条件下的失效行为，对硅通孔结构的应力应变进行分析。结果表明，硅通......
随着集成电路信号频率的不断增高,金属铜电阻率急剧增加,传统的硅通孔出现严重的电传输问题,此时单纯改变硅通孔的结构,例如使用同......
本文采用硅基MEMS工艺,设计并研制了基于硅通孔的IPD螺旋电感、MIM电容、薄膜电阻,设计和测试结果吻合程度较高,其中电感感值、电......
三维集成电路作为“超摩尔”技术领域战略研究课题之一,在近10至20年内的发展极为迅速。硅通孔作为影响三维集成电路性能的关键技......
随着半导体工艺特征尺寸进入纳米量级,进一步减小晶体管沟道长度越发困难。为了继续提升集成电路性能,半导体产业界一方面通过鳍式......
现如今,高速发展的电子工业对微电子技术提出了更高的要求,希望微系统的功能密度和性能不断提高。由于集成电路器件特征尺寸逼近物......
为了改善T/R组件中2.5 D转接板的高频特性,本文提出一种工艺简单、结构新颖的混合介质层类同轴硅通孔(through silicon via,TSV)结......
传统功率电子封装主要以钎料连接和引线键合等二维平面封装技术为主,无法满足第三代半导体器件在高频、高压、高温下的可靠应用需......
随着电子产品需求的不断提升,半导体封装技术的发展已经从2D结构发展到2.5D乃至3D结构,这对包括高密度集成和异质结构封装在内的系......
受中美国际关系的影响,一段时间内,集成电路工艺制程可能难以突破;同时,先进半导体工艺将带来高昂的集成电路开发成本,已经不适应......
随着集成电路向低功耗、小体积、高集成度方向发展,二维平面集成逐渐面临挑战。硅通孔(Through Silicon Via,TSV)能够实现芯片上下......
硅通孔(TSV)在三维集成系统中扮演着非常重要的角色。BOSCH刻蚀技术是当前主流的硅通孔刻蚀方法,因为刻蚀和钝化交替进行,这种干法......
集成电路(Integrated circuits,ICs)已经成为各行各业实现信息化,智能化的基础,同时它也存在于我们生活的方方面面。随着科技的进......
三维集成电路是指利用硅通孔(Through Silicon Via,TSV)作为电学连接,将多个同质、异质的芯片或电路模块在垂直方向上堆叠起来,共......
三维集成电路(3D IC,Three-dimensional Integrated Circuit)将多块芯片在垂直方向上堆叠起来,通过硅通孔(TSV,Through Silicon Vi......
随着超大规模集成电路技术的发展,芯片集成度和规模急剧增加。集成电路按比例缩小的发展已逼近极限,最有可能解决降低互连延迟、提......
详细分析了由Bosch刻蚀形成的侧壁形貌的粗糙度(Sidewall Roughness)对硅通孔(TSV)互连结构高频性能的影响,并通过全波电磁场仿真......
三维芯片(3D-IC)通过硅通孔(TSV)技术来实现电路的垂直互连,延续了摩尔定律,但在制造、绑定等过程中,TSV容易引入各类缺陷.添加冗......
硅通孔三维叠层芯片封装具有封装体积小，互连线短，封装密度高，寄生电容和电感低，信号延迟小，高速和高频特性高，功耗低，系统可靠性和稳定性......
雷达、电子战等射频电子装备向高集成度和大功率方向发展,有力牵引了射频微系统技术的进步,同时给冷却设计带来三大挑战:高面热流......
在二维集成电路中，互连金属层的增加限制了电路的性能。而利用垂直互连技术来实现多层芯片堆叠的三维集成电路（Three-Dimension-Inte......
当前微电子器件和系统正朝着小型化、低功耗、多功能的方向发展,晶体管的特征尺寸不断缩小并逼近物理极限,互连引起的时延和功耗不......
三维集成电路(Three Dimensional Integrated Circuit,3D IC)实现了多个器件层的垂直堆叠,且器件层间通过硅通孔(Through Silicon ......
[摘要] 芯片工艺流程微缩和低介电值材料的限制，3D堆叠技术被视为能否以较小尺寸制造高效能芯片的关键，而硅通孔（TSV）可通过垂直导通整......
应用材料公司的创新设备、服务和软件被广泛应用于先进半导体芯片、平板显示器和太阳能光伏产品制造产业。此次推出的Endura Ventu......
分析了一种新型硅通孔(Through Silicon Via,TSV)结构——条形TSV(Bar-TSV)结构的三维模型和等效电路模型,推导了B-TSV结构GSG(Gro......
在三维电子封装中,硅通孔(TSV,Through-Silicon-Via)是实现芯片垂直互连的关键环节,其可靠性至关重要.随着硅通孔中电流密度的增大......
由于不成熟的工艺技术和老化影响,基于硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的三维集成电路(Three-Dimensional Integrated Circuit,3D......
采用硅通孔(TSV)技术的三维堆叠封装,是一种很有前途的解决方案,可提供微处理器低延迟,高带宽的DRAM通道.然而,在3D DRAM电路中,大......
针对硅通孔(Through Silicon Via;TSV)高度、直径和绝缘层厚度三个结构参数建立了25种不同水平组合的HFSS仿真模型,获取了这25种TS......
硅通孔(Through Silicon Vias,TSV)技术是三维集成电路的核心技术之一.在TSV加工过程中由于填充不均匀、化学机械剖光不彻底等,会......
三维集成电路（3D IC）带来了诸多的益处，譬如高带宽，低功耗，外形尺寸小。基于硅通孔的三维集成得到了行业的广泛采用。然而，硅通孔的制造......
从硅通孔工艺质量检测角度出发,针对测试样品制备中存在的问题,提出了一种独特的电镜样品制备方法。该方法与聚焦离子束切割技术制......
传统的基于TSV的三维集成电路时钟树综合流程主要包括抽象拓扑树生成、层嵌入、布线和缓冲器插入．现有的三维时钟抽象拓扑树生成算......
随着像素单元越来越小、阵列规模越来越大、帧频越来越快,传统的IRFPA面临很大的集成技术发展瓶颈。基于三维集成的红外焦平面阵列......
随着集成电路复杂度的提高以及半导体制造工艺水平的不断发展,硅通孔（Through Silicon Via）TSV技术成为三维集成电路的一种主流互连......
综述了近年来芯片三维封装中硅通孔(TSV)互连技术中电镀铜工艺的研究进展及存在的问题,指出TSV互连技术今后的研究方向。......
该文根据微机电系统(MEMS)的相关工艺进行开发并且制成了小型的P频段LC滤波器。该滤波器的制造过程中采用了硅通孔(TSV)的相关技术......
提出了一种在硅通孔（Through Silicon Via,TSV）阵列传输中采用二维并行低密度奇偶校验码（Low Density Parity Check,LDPC）码信道编码的......
