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讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术，分析了两种技术的原理，利用光刻模拟软件，针对不同线宽的稀疏线条，对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比．研究结果表明，离轴照明技术和次分辨率辅助图形的结合使用，可以显著提高亚100纳米级版图线条的光刻分辨率，增大工艺窗口，降低版图成像对生产工艺参数的要求，对于解决亚波长光刺所带来的亚100纳米级集成电路成像质量下降的问题非常必要．