【摘 要】
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利用胶体小球掩蔽刻蚀技术，制备了单晶硅纳米阵列，利用原子力显微镜观察了硅阵列的表面形貌，实验结果表明，硅柱阵列具有高密度和较好的均匀性。同时研究了单晶硅纳米阵列的场电子
【机 构】
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南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室
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利用胶体小球掩蔽刻蚀技术，制备了单晶硅纳米阵列，利用原子力显微镜观察了硅阵列的表面形貌，实验结果表明，硅柱阵列具有高密度和较好的均匀性。同时研究了单晶硅纳米阵列的场电子发射特性。为了提高样品的场发射性能，在所制备的单晶硅有序纳米阵列上生长了一层非晶碳薄膜。与单晶纳米硅柱阵列相比，覆盖有非晶碳膜的样品的场电子发射特性有了明显的改善，表现在场发射的开启电场下降，同时场发射增强因子得到增加。结果表明非晶碳膜确实能够降低电子发射的表面有效势垒，从而增强了场电子发射特性。
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