SiC材料发光性能表征综述

来源 :北京师范大学学报(自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chcongcong520
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本文从SiC材料发光性能表征方法出发,介绍了光致发光、阴极荧光和离子激发发光三种光学测量方法.不同发光表征技术适用研究材料不同的品质特征,光致发光是一种无损检测,阴极荧光对SiC外延层的位错缺陷具有更好的测量效果,离子激发发光可以观测缺陷发光的原位信息.发光变化与材料中的缺陷中心相关,因而光学测量可以很好地反映材料内部特征.通过不同光学测量方法研究SiC材料的发光性能,为更好地拓展SiC发光应用奠定了重要基础.
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