【摘 要】
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一、引言随着硅平面工艺的发展,硅表面氧化工艺、Si-SiO_2介面及硅初期氧化膜的结构和特性,由于在器件制造中的地位和作用,几十年来人们作了大量的研究。B-Lang等人利用离子
【机 构】
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浙江大学,浙江大学,浙江大学,浙江大学
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一、引言随着硅平面工艺的发展,硅表面氧化工艺、Si-SiO_2介面及硅初期氧化膜的结构和特性,由于在器件制造中的地位和作用,几十年来人们作了大量的研究。B-Lang等人利用离子刻蚀深度剖析研究了热氧化生长的厚SiO-2和真空室制备的SiO_2膜,结果发现,
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