【摘 要】
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目的 研究氧化石墨烯(GO)对水化硅酸钙(C-S-H)早期生长的影响机理,比较有无GO环境下C-S-H的结构差异.方法 采用反应分子动力学,利用氧化硅溶胶凝胶合成过程的硅链结构聚合反应,模拟在4 nm GO纳米狭缝中C-S-H的生成过程,分析体系内C-S-H结构演变、径向分布函数、化学组分及Qn单元的分布.结果 GO体系内,钙、硅离子分布出现富集区,硅原子与桥位氧原子键连单元比例增加,Q3、Q4等高聚合度单元数量大幅提高.结论 GO的位阻效应以及含氧基团的离子吸附作用,降低了C-S-H的聚合势垒,提高了C
【机 构】
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沈阳建筑大学土木工程学院,辽宁沈阳110168;沈阳建筑大学材料科学与工程学院,辽宁沈阳110168
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目的 研究氧化石墨烯(GO)对水化硅酸钙(C-S-H)早期生长的影响机理,比较有无GO环境下C-S-H的结构差异.方法 采用反应分子动力学,利用氧化硅溶胶凝胶合成过程的硅链结构聚合反应,模拟在4 nm GO纳米狭缝中C-S-H的生成过程,分析体系内C-S-H结构演变、径向分布函数、化学组分及Qn单元的分布.结果 GO体系内,钙、硅离子分布出现富集区,硅原子与桥位氧原子键连单元比例增加,Q3、Q4等高聚合度单元数量大幅提高.结论 GO的位阻效应以及含氧基团的离子吸附作用,降低了C-S-H的聚合势垒,提高了C-S-H的聚合度.
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