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运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了两个铌原子掺杂硅团簇的几何和电子结构性质．计算结果表明，Nb_2Si_n(n=1～6)团簇相对最稳定的结构基本上都保持了Si_(n+2)团簇基态构型的框架，除了Nb_2Si_2团簇外，所有的低能态都是单重态构型.Nb_2Si_3的分裂能最大，在稳定的Nb_2Si_n( n=1～6)团簇中具有最强的热力学稳定性. 在Nb_2Si团簇和Nb_2Si_2 团簇中，电子转移是从Nb原子向Si原子的；而当n=3～6时，电子转移出现了反转现象，开始从Si原子转移到Nb原子.