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为了在保留传统肖特基二极管正向压降低、电流密度大优点的基础上，使其反向击穿电压提高到了300V以上，我们采用硅材料做为衬底，肖特基结区采用蜂房结构，终端采用两道场限环结构加一道切断环结构，所制备的肖特基二极管在正向电流10A时，正向压降仅为0．79V；同时在施加300V反向电压时，反向漏电流在5μA以下。