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采用分子柬外延方法在砷化镓衬底上生长了AlAs／GaAs双势垒量子阱薄膜结构。介绍了量子阱薄膜在单轴压力作用下的压阻实验，测试出薄膜在压力影响下的，一矿曲线，并分析了量子阱薄膜压阻效应的成因。通过实验证实了量子阱薄膜具有较高灵敏度的压阻效应，其压阻灵敏度比目前常用的多晶硅的压阻灵敏度提高一个数量级。